About: LPM - Laboratoire de Physique de la Matière (1961-2007)

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foaf:dateOfDeath	2007
sameAs	LPM - Laboratoire de Physique de la Matière (1961-2007) LPM - Laboratoire de Physique de la Matière (1961-2007)
alternative label	LPM Laboratoire de Physique de la Matière INSA Lyon. Laboratoire CNRS LA 358 UMR 5511
preferred label	LPM - Laboratoire de Physique de la Matière (1961-2007)
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Language	http://lexvo.org/id/iso639-3/fra
foaf:dateOfBirth	1961
note	Laboratoire de l'INSA de Lyon de 1961 à 2007. Ses directeurs furent P, Pinard de 1961 à 1995, G. Guillot de 1996 à 2007 dir adjoint A. Suifi de 2003 à 2007, CNRS ERA 544 et GRECO de 1982 à 1987, CNRS LA 358 en 1987, devient UMR 5511 en 1995. Intégré en 2007 à INL . UMR5511.
has predecessor	Laboratoire d'électronique, optoélectronique et microsystèmes (Ecully, Rhône ; 1995-2006)
has date of establishment	1961
has date of termination	2007
http://data.hal.science.fr/schema/rnsr	199511955W
is Thesis advisor of	Simulation, fabrication et analyse de cellules photovoltaïques à contacts arrières interdigités Spectroscopie de la boîte quantique unique dans les systèmes InAs sur InP et InAs sur GaAs émettant à 1,3 µm, application aux sources localisées Etude et modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe, application à la conception d'oscillateurs radiofréquences intégrés Etude de la résolution en profondeur lors de l'analyse par spectrométrie de masse des ions secondaires, détermination de la fonction de résolution pour le bore dans le silicium, mise au point d'une procédure de déconvolution et applications Fusion de zone par faisceau électrons d'une poudre de silicium, caractérisation et application du silicium polycristallin élaboré par cette méthode Intégration de transistors haute tension en technologie CMOS 0,13 µm pour la gestion d'énergie des systèmes portables Réalisation par épitaxie en phase liquide de couches de silicium sur substrats économiques pour applications photovoltaïques Comportement thermique des composants de protection contre les effets indirects de la foudre Diffusion et gettering du chrome dans le silicium dopé au bore Effets du stress oxydant sur le fonctionnement des adipocytes, adiponectine et prostaglandines Intégration du silicium poreux dans des microsystèmes fluidiques, application aux laboratoires sur puce Microsystèmes optomécaniques à base d'InP pour l'analyse de gaz Contribution au développement de nouvelles techniques de pompage de charge pour l'étude des défauts d'interface dans les transistors MOS silicium submicroniques Elaboration et caractérisation de films minces de Ta2 O5 pour la réalisation de structures capacitives intégrées sur silicium Etude des matériaux diélectriques à très faible permittivité déposés par voie chimique en phase vapeur développés pour l'isolation des interconnexions cuivre des circuits intégrés pour les générations technologiques 45 nm et 32 nm Extension de l'analyse fonctionnelle à l’étude de la sécurité opérationnelle des systèmes automatises de production Caractérisation électrique de structures Si / SiO2 nues et greffées de molécules organiques et biologiques, en vue de l'élaboration d'un immunocapteur Etude par pompage de charge et par mesures de bruit basse fréquence de transistors MOS à oxynitrures de grille ultra-minces Etude des défauts profonds dans les composants utilisants des matériaux III-V ternaires et quaternaires (GaLnAs-GaLnAsP) Etude des étapes technologiques critiques dans la production des cellules solaires en silicium multicristallin Fabrication, caractérisation et modélisation des transistors bipolaires a double hétérojonction InP pour circuits de communications optiques à très hauts débits (40 Gbit/s Optimisation des conditions du recuit rapide isotherme sur substrats InP encapsulés InGaAs pour application aux composants avancés Technologie et Caractérisations de Films Minces Piézoélectriques pour la Réalisation de MEMS Caractérisation électrique des défauts induits lors de l'intégration de la base d'un transistor bipolaire a hétérojonction SIGe en technologie BICMOS Contribution au développement d'un isolateur coplanaire à résonance par la méthode des Différences Finies dans le Domaine Temporel Contribution à l'étude et à la réalisation d'un système électronique de mesure et excitation de tissu nerveux à matrices de microélectrodes Caractérisation optique de micro-structures III-V contraintes Etude en radiofréquences de transistors à effet de champ MOS partiellement désertés en technologie avancée Silicium-Sur-Isolant sub 0,13 µm Mécanismes de transport, courants de fuite ultra-faibles et rétention dans les mémoires non volatiles à grille flottante Etude des propriétés électro-optiques des impuretés vanadium et nickel dans GaAs Réalisation et analyse-caractérisation de dispositifs MOS à diélectrique de grille Ta2O5 Conception et caractérisation de filtres optiques et de VCSELs accordables à base de micro système sur substrat InP pour les Réseaux optiques multiplexés en longueur d'onde Amélioration de la résolution en profondeur de l'analyse SIMS par déconvolution, algorithmes spécifiques et application aux couches dopées ultra-minces de la micro-électronique silicium Etude des propriétés électro-optiques de la structure oxyde-nitrure-oxyde (O.N.O.), application aux mémoires « EPROM » et « EEPROM » Caractérisation et modélisation des propriétés des couches de SiO2, application aux têtes de lecture-écriture pour disques durs et aux mémoires EEPROM Spectroscopie optique des îlots quantiques d'InAs/InP (001) pour la réalisation de composants optoélectroniques émettant à 1.55 µm Croissance de silicium monocristallin en couche mince par épitaxie en phase liquide sur couches sacrificielles pour report sur substrat faible coût pour applications photovoltai͏̈ques Dépôt chimique en phase vapeur à l’intérieur d'une décharge électrique de courant continu, Application au nitrure de silicium Développement de matériaux déposés par PECVD pour les interconnexions optiques dans les circuits intégrés par une approche \"back-end\" Etude des mécanismes de transport électrique dans des structures à base de nanocristaux de silicium ordonnés Impact du bruit substrat sur les oscillateurs contrôlés en tension à 4.5 GHz, intégrés en technologie BiCMOS 0.35 µm Caractérisation et modélisation de couches minces de 3C-SiC sur Si pour applications aux microsystèmes en environnements sévères Caractérisation par spectrométrie de masse des ions secondaires des zones actives du CMOS ultime, étude de la rugosité en fond du cratère et ses conséquences sur la vitesse d'érosion et sur la résolution en profondeur Applications des lampes excimères au dépôt photo-assisté de couches minces à basses températures Spectroscopie optique de nouveaux matériaux à base de (Ga,In)(N,As) pour la réalisation de composants à cavité verticale émettant à 1,3 µm sur substrat GaAs Bruit d'Alimentation et Couplage par le Substrat dans les Circuits Mixtes Détection et caractérisation de défauts individuels électriquement actifs dans des cellules mémoires de dispositifs \"DRAM\" Etude et caractérisation d'un capteur en silicium amorphe hydrogéné déposé sur circuit intégré pour la détection de particules et de rayonnements Etude de la formation du siliciure de titane par réaction directe, Influence et redistribution des dopants Réévaluation des propriétés piézoresistives à haute température de films de silicium polycristallin LPCVD dopé au bore Caractérisation physico-chimique, simulation et modélisation d'une technologie analogique avancée BICMOS Etude, fabrication et propriétés de transport de transistors CMOS associant un diélectrique haute permittivité et un canal de conduction haute mobilité Influence de la technologie de fabrication sur les propriétés électriques des structures capacitives MIS Nouvelles morphologies du silicium nanostructuré issues de l'anodisation électrochimiques, élaboration, propriétés physico-chimiques et applications Photopolymerized micro-and nano-composites, interface chemistry and its role on interfacial adhesion Caractérisation électrique et optique du nitrure de gallium hexagonal et cubique en vue de l'obtention d'émetteurs bleus Caractérisations électriques des structures MOS à nanocristaux de Ge pour des applications mémoires non volatiles Etude du bruit télégraphique, du courant d’obscurité et des niveaux profonds dans les photodiodes InP/InGaAs/InP en désaccord de maille Etudes des propriétés optoélectroniques de structures et de composants à base de nanostructures de Si Réalisation et étude de nouveaux microcapteurs magnétiques a hétérostructures pseudomorphiques à base d'InP Conception et fabrication de nouvelles architectures CMOS et étude du transport dans les canaux de conduction ultra minces obtenus avec la technologie SON Etude en champ proche optique de guides à cristaux photoniques sur SOI Etudes optiques et électriques des propriétés électroniques de nano-cristaux de silicium pour composants mono-électroniques Matériaux et hétérostructures à base de nitrures d'éléments III en phase cubique et hexagonale pour l'optoélectronique Conception et études optiques de composants micro-photoniques sur matériaux III-V à base de structures à bande interdite de photon Epitaxie en phase vapeur de silicium sur silicium mésoporeux pour report sur substrats économiques et application photovoltai͏̈que bas coût Etude des propriétés et de l'intégration de barrières auto-positionnées sur cuivre formées par des procédés de siliciuration et de dépôts auto-catalytiques dans les interconnexions des circuits intégrés microélectroniques des générations 45 nm Caractérisations électriques et physico-chimiques des oxydes sur Carbure de Silicium, application à une technologie MOSFETs Etude des défauts électriquement actifs dans les composants hyperfréquences de puissance dans les filières SiC et GaN Etude des effets des contraintes mécaniques induites par les procédés de fabrication sur le comportement électrique des transistors CMOS des noeuds technologiques 65nm et en deça Etude de la sensibilité et de la résolution en profondeur lors de l'analyse par spectrométrie de masse des ions secondaires, application à la silice et au silicium Apport du forceps instrumenté dans la sécurité de l'extraction instrumentale Spectroscopie de modulation optique pour la qualification d'hétérostructures GaAsSb/InP destinées à la réalisation de TBH ultra-rapides Caractérisation structurale des contacts ohmiques réalisés à partir d'encres métalliques sur cellules photovoltai͏̈ques en silicium multicristallin Élaboration et caractérisation de couches minces piézoélectriques de Pb(Zr,Ti)O3 sur silicium pour applications aux microsystèmes Etude de caractérisation de matériaux diélectriques de grille à forte permittivité pour les technologies CMOS ultimes Etude de la nucléation et de la croissance de nanocristaux de silicium élaborés par dépôt chimique en phase vapeur pour dispositifs nanoélectroniques Etude comparée de couches minces de silicium polycristallin dopé en vue d'applications piezorésistives Indexation dans les bases de données capteurs temps réel, application à la surveillance de phénomènes environnementaux et de risques naturels Nanolithographie par anodisation locale en microscopie à force atomique sur le phosphore d'indium pour des applications optoélectroniques

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