About: Représentation distribuée de la dynamique des charges dans la base large des thyristors \"Gate-Turn-Off\". Application à un modèle de G.T.O. pour la C.A.O. des circuits   Goto Sponge  NotDistinct  Permalink

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  • Distributed representation of the charge dynamics in the wide base of the gate-turn-off thyristors. Application to a g.t.o. Model for circuits c.a.d
dc:subject
  • Thèses et écrits académiques
  • Modeling
  • Computer aided design
  • Power electronics
  • Conception assistée par ordinateur
  • Estimation de paramètres
  • Circuits de commutation
  • Sciences appliquees
  • Modelisation
  • Semiconducteurs de puissance
  • Switching
  • Electronique puissance
  • Conception assistee
  • Electrotechnique, electroenergetique
  • Composants électroniques -- Modèles mathématiques
  • Commutation
  • Interrupteurs électroniques -- thèses
  • Gate turn off thyristor
  • Thyristor interrupteur
  • Distributed parameter networks
  • Reseau parametre reparti
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  • Représentation distribuée de la dynamique des charges dans la base large des thyristors \"Gate-Turn-Off\". Application à un modèle de G.T.O. pour la C.A.O. des circuits
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Subject
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  • Représentation distribuée de la dynamique des charges dans la base large des thyristors \"Gate-Turn-Off\". Application à un modèle de G.T.O. pour la C.A.O. des circuits
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note
  • Ce memoire est consacre a l'elaboration d'un modele de thyristor g.t.o. Pour la c.a.o. En electronique de puissance, decrivant la nature distribuee de la dynamique des charges dans la base large. Cette dynamique est regie par l'equation de diffusion ambipolaire. L'auteur propose, grace a une representation spectrale de la distribution des porteurs dans la base large du g.t.o., une methode de resolution analogique de l'equation de diffusion. La dynamique repartie des charges dans cette base est ainsi representee par un schema analogique de lignes rc a parametres variables. Ce modele distribue est complete par la prise en compte des contributions des autres regions du composant: base p, emetteurs d'anode et de cathode et zone de charge d'espace. Le modele complet ainsi obtenu, nous permet de simuler le comportement du composant lors de ses commutations sans changement de topologie. La bonne concordance entre les resultats mesures et simules, permet de mettre en evidence le bien-fonde de notre approche pour la simulation des interactions composant-circuit
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  • Text
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rdaw:P10219
  • 1994
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is rdam:P30135 of
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