| Attributes | Values |
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| type
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| Thesis advisor
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| Author
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| alternative label
| - Al1-xInxAs/Ga1-xInxAs high electron mobility transistor on GaAs and InP for power millimeter applications, study and realization
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| dc:subject
| - Amplificateurs
- Thèses et écrits académiques
- Topologie
- Microondes
- Transistors à effet de champ
- Composés semiconducteurs
- Amorçage (électricité)
- Hydrodynamique -- Simulation, Méthodes de
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| preferred label
| - Transistor à effet de champ de la filière A1InAs/GaInAs sur substrats GaAs et InP pour amplification de puissance en ondes millimétriques, étude et réalisation
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| Language
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| Subject
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| dc:title
| - Transistor à effet de champ de la filière A1InAs/GaInAs sur substrats GaAs et InP pour amplification de puissance en ondes millimétriques, étude et réalisation
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| Degree granting institution
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| note
| - Ce travail concerne l'étude des potentialités de deux filières de transistor HEMT AlInAs/GaInAs pour les applications de puissance en ondes millimétriques. Nous avons fait appel à un outil de simulation, à la technologie et de la caractérisation pour mener à bien cette étude. Une étude de la topologie de la couche de contact a été menée grâce à un logiciel de simulation hydrodynamique bidimensionnel sur des structures métamorphiques. Nous avons effectué une analyse du claquage du composant en fonction du dopage et de l'épaisseur grâce à la répartition de grandeurs physiques telles que le champ électrique et l'énergie des porteurs. Les composants ont été fabriqués grâce aux outils de la technologie. L'élément clé a été le fossé de grille. Un profil uniforme du fossé de grille, une bonne tenue mécanique du métal et de bonnes caractéristiques électriques de grille n'ont pu être obtenues qu'en modifiant l'agent mouillant qui a permis de réduire cette étape. C'est la première fois qu'une étude sur les courants de grille issus du phénomène d'ionisation par impact est menée en fonction de la topologie du composant. Les résultats obtenus sont à l'état de l'art dans les deux filières. Dans la filière métamorphique sur GaAs, une densité de puissance de 100mW/mm (resp. 140mW/mm) a pu être obtenue à l'aide d'un banc load-pull à 10GHz sur un HEMT métamorphique à couche de contact fine (resp. épaisse) fonctionnant à accumulation de charge (Enhancement-Mode). De même, sur les composants à canal composite de la filière InP, une densité de puissance à 60GHz de 420mW/mm a été obtenue sur une structure et une topologie optimisées. Les composants à large extension grille drain ont permis à la fois d'obtenir de faibles courants de grille et d'améliorer la puissance de sortie.
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| dc:type
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| http://iflastandar...bd/elements/P1001
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