About: Utilisation du FIB pour la nanostructuration et l'auto-assemblage de réseaux de nano-objets pour des applications microélectroniques

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Attributes	Values
type	frbr:Work rdac:C10001
Thesis advisor	El Hdiy, Abdelillah École doctorale Sciences pour l'Ingénieur : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique (Marseille) Grosso, David (19..-....) Cavassilas, Nicolas (19..-....) Berbezier, Isabelle (19..-....)
Praeses	Donnadieu, Patricia
Author	Amiard, Guillaume (1982-....)
dc:subject	FIB SiO2 Germanium Thèses et écrits académiques Microélectronique Silicium Microelectronique Bombardement ionique Auto-organisation
preferred label	Utilisation du FIB pour la nanostructuration et l'auto-assemblage de réseaux de nano-objets pour des applications microélectroniques
Language	http://lexvo.org/id/iso639-3/fra
Subject	http://www.idref.fr/030633370/id http://www.idref.fr/027337510/id http://www.idref.fr/027253139/id http://www.idref.fr/02749201X/id http://www.idref.fr/027806839/id
dc:title	Utilisation du FIB pour la nanostructuration et l'auto-assemblage de réseaux de nano-objets pour des applications microélectroniques
Degree granting institution	Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence (Marseille ; Toulon ; 2008-….)
Opponent	Favre, Luc (1976-....)
note	Les travaux présentés dans ce manuscrit, sont basés sur l'étude de l'auto-organisation de la matière à l'échelle nanométrique. A cette échelle, les énergies de surfaces jouent un rôle prépondérant dans cette organisation. Pour comprendre au mieux ses mécanismes nous avons étudié plusieurs types de structures à base de Silicium et de Germanium. Nous avons expérimentalement étudié la croissance cristalline ou amorphe sur différents types de substrats (amorphe : SiO2 et cristallins Si ou SOI). Certain de ces substrats furent nano-structurés en utilisant un faisceau d'ions focalisés de type Gallium ou Or-Silicium. De plus nous avons pu utiliser des surfaces différentes telle que le TiO2 ou le Silicium poreux, afin d'étudier l'organisation de la matière sur des pores de petites tailles (inférieurs à 50nm). The following works are base on the study of self assembly structures at the nanometric scale. At this scale the surface energy have a major impact in this organization. For a better understanding of this mechanism we studied different Silicon-Germanium base structures. We experimentally studied the crystalline or amorphous growth on different types of substrates (amorphous: SiO2, crystalline: Si or SOI). Some of these substrates were nano-structured using a focused ion beam using gallium source or gold-silicon source. In addition, we were able to use different surfaces such as TiO2 or porous silicon to study the organization of the material small size pore(less than 50nm).
dc:type	Text
http://iflastandar...bd/elements/P1001	http://iflastandards.info/ns/isbd/terms/contentform/T1009
rdaw:P10219	2012
has content type	http://rdaregistry.info/termList/RDAContentType/1020
is primary topic of	http://www.idref.fr/208153969
is rdam:P30135 of	http://www.sudoc.fr/171960580/id http://www.sudoc.fr/172286271/id

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