| Attributes | Values |
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| type
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| Thesis advisor
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| dc:subject
| - Thèses et écrits académiques
- Silicium
- Transistors en couches minces
- SCIENCES ET TECHNIQUES : ELECTRONIQUE
- Semiconducteurs amorphes
- Ondes kilométriques
- Bruit électronique -- Modèles mathématiques
- Conduction électrique -- Mesure
- Simulation, Méthodes de (logiciels) -- thèses
- TRANSISTOR COUCHE MINCE/BRUIT BASSE FREQUENCE/BRUIT THERMIQUE/SIMULATION ORDINATEUR/SUBSTRAT A-SI
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| preferred label
| - Caractérisation et modélisation du bruit en 1/f des transistors à films minces élaborés sur silicium amorphe
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| Language
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| Subject
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| dc:title
| - Caractérisation et modélisation du bruit en 1/f des transistors à films minces élaborés sur silicium amorphe
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| Degree granting institution
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| note
| - L'OBJET DE CETTE THESE EST L'ANALYSE ET LA MODELISATION DES SOURCES DE BRUIT BASSE FREQUENCE DANS LES TRANSISTORS A FILMS MINCES (TFTS) EN SILICIUM AMORPHE (A-SI). LA PREMIERE PARTIE DU TRAVAIL COMPREND UNE ETUDE DES PHENOMENES DE CONDUCTION DANS CE MATERIAU CONDUISANT A LA FORMULATION DU COURANT DRAIN DANS LES TFTS. CETTE FORMULATION EST COMPAREE A CELLE OBTENUE DANS LE CAS DE SILICIUM MONOCRISTALLIN. PARTANT DU MODELE DE CONDUCTION RETENU (DONT UNE METHODOLOGIE D'EXTRACTION DES PARAMETRES CARACTERISTIQUES EST PROPOSEE), UNE ANALYSE DU BRUIT THERMIQUE ET DU BRUIT EN 1/F EST PROPOSEE. LE BRUIT EN 1/F EST ETUDIE EN FONCTION DES DIFFERENTES ORIGINES SUSCEPTIBLES D'ETRE RETENUES ET LES FORMULATIONS ASSOCIEES SONT PRESENTEES. EST EGALEMENT INTRODUIT LE LOGICIEL DE SIMULATION BSIM ET LES LIENS QU'IL PRESENTE AVEC LES MODELES PRECEDENTS. LA DEUXIEME PARTIE EST PUREMENT EXPERIMENTALE. ELLE ENGLOBE LA CARACTERISATION DE LA CONDUCTION ELECTRIQUE ET CELLE DU BRUIT DE FOND. ELLE PORTE SUR DIFFERENTES VARIANTES TECHNOLOGIQUES QUI ONT PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LE ROLE PREPONDERANT DES RESISTANCES D'ACCES POUR DES FILMS EPAIS DE A-SI. LES BRUITS ASSOCIES AU CANAL INTRINSEQUE ET A CES RESISTANCES SONT CARACTERISES ET MODELISES. LES MESURES EXPERIMENTALES RELATIVES AU BRUIT DU CANAL INTRINSEQUE ONT EGALEMENT ETE ANALYSEES DANS LE DETAIL QUANT A LEUR ORIGINE ET LEUR FORMULATION. LA COMPARAISON AVEC LES SIMULATIONS EFFECTUEES PAR BSIM PERMET DE DEGAGER LES CONDITIONS POUR AVOIR UNE BONNE ADAPTABILITE DE CE LOGICIEL AU TRAITEMENT DES TRANSISTORS A FILMS MINCES.
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