| Attributes | Values |
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| type
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| Author
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| dc:subject
| - Thèses et écrits académiques
- SCIENCES ET TECHNIQUES : ELECTRONIQUE
- GUIDE ONDE ; PROCEDE FABRICATION ; MATERIAU POREUX ; OXYDATION ANODIQUE ; INDICE REFRACTION ; CARACTERISTIQUE OPTIQUE ; SILICIUM ; SI
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| preferred label
| - Contribution à l'étude de guides optiques enterrés en silicium poreux
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| Language
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| Subject
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| dc:title
| - Contribution à l'étude de guides optiques enterrés en silicium poreux
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| note
| - LE TRAVAIL PRESENTE DANS LE CADRE DE CETTE THESE PORTE SUR LA REALISATION DE GUIDES OPTIQUES ENTERRES EN SILICIUM POREUX PAR UNE ATTAQUE ELECTROCHIMIQUE LOCALISEE A PARTIR DE SILICIUM MONOCRISTALLIN DE TYPE P +. LA PREMIERE PARTIE TRAITE DE L'ETUDE DE L'INDICE DE REFRACTION DU SILICIUM POREUX EN FONCTION DE SA POROSITE ET DE SES CONDITIONS D'OXYDATION (DUREE ET TEMPERATURE). LES RESULTATS EXPERIMENTAUX CONFIRMENT QUE L'INDICE PEUT ETRE SIMULE EN PREMIERE APPROXIMATION PAR LE MODELE DE BRUGGEMAN ET QU'UN ECART D'INDICE ENTRE LES COUCHES GUIDANTE ET DE CONFINEMENT APRES OXYDATION EST PRESERVE CONSERVANT AINSI LES PROPRIETES GUIDANTES DE LA STRUCTURE. LA DEUXIEME PARTIE S'INTERESSE AU PROFIL GEOMETRIQUE DU GUIDE. LA FORMATION LOCALISEE DU SILICIUM POREUX NECESSITE L'UTILISATION D'UNE COUCHE DE MASQUAGE. LA NATURE DE CELLE-CI ET LES DIMENSIONS DES OUVERTURES DES MOTIFS INFLUENT SUR LA FORME GEOMETRIQUE ET SUR SON EVOLUTION DURANT L'ANODISATION. CETTE EVOLUTION RESULTE DU FAIT QUE LES VITESSES DE FORMATION DU SILICIUM POREUX SONT DIFFERENTES SELON LES DIRECTIONS CRISTALLOGRAPHIQUES. LA TROISIEME PARTIE PRESENTE LA REALISATION DE TROIS TYPES DE GUIDES EN APPLIQUANT UNE INTENSITE DE COURANT TELLE QUE LA DENSITE DE COURANT SOIT CONSTANTE OU VARIABLE. AINSI, DES GUIDES AVEC DIFFERENTS TYPES DE PROFIL D'INDICE ONT ETE OBTENUS. LES MESURES EN CHAMP PROCHE MONTRENT QUE LA REGION DE PROPAGATION A PU ETRE DEPLACEE DE L'INTERFACE AIR/COUCHE GUIDANTE A L'INTERFACE COUCHE GUIDANTE/COUCHE DE CONFINEMENT. LA COMPARAISON DE LEURS PERTES OPTIQUES A PERMIS DE DISTINGUER LES DIFFERENTES CAUSES QUI CONTRIBUENT A CES PERTES. CES RESULTATS PERMETTENT D'ENVISAGER L'UTILISATION DE GUIDES EN SILICIUM POREUX POUR LA REALISATION DE COMPOSANTS ACTIFS TELS QUE DES PORTES OPTIQUES, DES ATTENUATEURS VARIABLES OU DES AMPLIFICATEURS OPTIQUES EN DOPANT CES GUIDES PAR DES IONS DE TERRE RARE.
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