| Attributes | Values |
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| type
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| Thesis advisor
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| Author
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| alternative label
| - Linear and non-linear optical caracterization of boron nitride (BN) thin films by guided waves techniques
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| dc:subject
| - Ondes électromagnétiques
- Thèses et écrits académiques
- Électrooptique
- Nitrure de bore -- Synthèse (chimie)
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| preferred label
| - Etude et caractérisation optique linéaire et non-linéaire de films minces de nitrure de bore (BN) par ondes guidées
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| Language
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| Subject
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| dc:title
| - Etude et caractérisation optique linéaire et non-linéaire de films minces de nitrure de bore (BN) par ondes guidées
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| Degree granting institution
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| note
| - Les semi-conducteurs III-V à large bande d'énergie interdite (gap > 1.6 ev) sont des matériaux utilisés en optique intégrée (OI) et en microélectronique. Ils permettent une intégration monolithique de différents composants en vue de la réalisation de circuits optoélectroniques complexes. Le nitrure de bore (BN) fait partie de cette classe de matériaux. Il a une bande d'énergie interdite de l'ordre de 5.8 eV. De plus, il présente une bonne conductivité thermique et une transparence optique sur une large gamme de longueur d'ondes (UV-IR). Utilise comme isolant de grille dans les structures mis pour les transistors à effets de champ, il permet la passivation des surfaces des semi-conducteurs en contact avec l'air. En outre, ce matériau est résistant à la corrosion et présente de bonnes propriétés acoustiques. Les films minces de nitrure de bore (BN) fabriqués par dépôt ionique réactif (RIP) et dépôt chimique en phase vapeur assist2 par plasma micro-onde (PECVD) sur divers substrats, ont été étudiés par ondes guidées. La technique de mesure utilisée a permis de mettre en évidence le caractère anisotrope et inhomogène des couches de h-BN élaborées par RIP. De plus, les indices ordinaire et extraordinaire du BN mesurés à partir des spectres des modes guidés, sont semblables à ceux rapportés dans la littérature pour la structure hexagonale de ce type de matériaux élaborés en couches minces par PECVD. D'autre part, la prise en compte des modes fuyants a permis de caractériser des films de SiOxNy déposés sur des substrats de verre et des couches tampons de SiO2 dans des structures multicouches du type BN/SiO2/Si. Enfin, cette étude se termine par la mesure du coefficient électro-optique reff ≤ pm/V, à l'aide d'électrodes coplanaires. La valeur trouvée est comparable à celle des matériaux comme ZnO ou AIN. L'optimisation des paramètres du réacteur de dépôt PECVD afin de réduire les pertes des guides d'ondes de h-BN, permettrait d'entrevoir une possible utilisation de h-BN dans des dispositifs de modulation.
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| dc:type
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| http://iflastandar...bd/elements/P1001
| |
| rdaw:P10219
| |
| has content type
| |
| is primary topic
of | |
| is rdam:P30135
of | |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
