| Attributes | Values |
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| type
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| Thesis advisor
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| Author
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| alternative label
| - Feasibility study of millimeter wave circuits for communication systems, using BiCMOS SiGeC 0,13 µm technology
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| dc:subject
| - Germanium
- Thèses et écrits académiques
- MOS complémentaires
- Ondes électromagnétiques -- Propagation
- Circuits électroniques -- Bruit
- Oscillateurs à microondes
- Transistors bipolaires
- Lignes à bandes
- Silicium -- Substrats
- Lignes de transmission (télécommunications)
- Hétérostructures
- Ondes millimétriques
- Amplificateurs microondes
- Mélangeurs hyperfréquences
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| preferred label
| - Etude de faisabilité de circuits pour systèmes de communication en bande millimétrique, en technologie BiCMOS SiGeC 0,13 µm
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| Language
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| Subject
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| dc:title
| - Etude de faisabilité de circuits pour systèmes de communication en bande millimétrique, en technologie BiCMOS SiGeC 0,13 µm
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| Degree granting institution
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| note
| - Durant ces dernières années, le développement des technologies Silicium a permis la montée en fréquence des composants actifs, notamment des transistors bipolaires à hétérojonction SiGe qui atteignent désormais des fréquences de coupures supérieures à 150GHz. Il nous a donc semblé intéressant d'évaluer les performances de ces technologies en gamme millimétrique, domaine réservé jusqu'à présent aux technologies III-V. Ainsi, l'objectif de ce travail de recherche a été d'évaluer les potentialités de la filière BiCMOS SiGeC 0,13 µm (BiCMOS9) ainsi que le transistor bipolaire à hétérojonction de la technologie de génération suivante pour des circuits utilisables pour les télécommunications à 40GHz. La première partie de nos travaux de recherche a consisté à élaborer les librairies des différentes structures de propagation utilisées pour la conception. Celles-ci ont été optimisées pour obtenir des pertes minimales en gamme millimétrique et limiter ainsi leurs influences au niveau des circuits conçus. Dans un deuxième temps, une étude des performances du transistor bipolaire ainsi qu'une validation des modèles associés en gamme d'ondes millimétriques (notamment HICUM) ont été réalisées. L'optimisation des pertes des structures de propagation ainsi que la validation des modèles du transistor nous a permis de développer une méthodologie de conception afin d'optimiser les performances des circuits. La réalisation de démonstrateurs constituant une chaîne de réception à 40GHz a démontré des performances intéressantes avec cette technologie tout en mettant l'accent sur les limitations. Finalement, les trois principaux éléments de cette chaîne de réception (amplificateur faible bruit, oscillateur et mélangeur) ont été assemblés pour réaliser un récepteur superhétérodyne à 40GHz. Les résultats obtenus avec ce récepteur ont permis de valider la démarche de conception utilisée tout en positionnant les performances à l'état de l'art en technologie Silicium.
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| http://iflastandar...bd/elements/P1001
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| rdaw:P10219
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