Les guides d'onde sous forme de couches minces déposées sur des substrats d'indice faible présentent l'avantage d'être compatible avec la technologie Si déjà existante, pour développer des composants optoélectroniques intégrés. C'est dans ce contexte que nous avons étudié les propriétés optiques des couches minces de semi-conducteurs à grand gap du type h-BN, nous avons utilisé principalement la spectroscopie des lignes noires. Dans le cas des couches minces de h-BN, nous avons étudié l'influence de la durée de dépot et de la puissance de plasma. En plus, pour obtenir des couches de h-BN bien orientées il faut utiliser des puissances de plasma faible (<500 W) ou élevées (>500 W). Ces résultats ont été confirmés par une étude en utilisant la spectroscopie IR.