About: Boîtes et fils de Ge sur Si(001) ordonnés à longue distance par des réseaux de dislocations de flexion   Goto Sponge  NotDistinct  Permalink

An Entity of Type : rdac:C10001, within Data Space : data.idref.fr associated with source document(s)

AttributesValues
type
Thesis advisor
Author
alternative label
  • Ordered growth of germanium dots induced by the strain field of tilt dislocations in molecular bonded silicon (001) thin films
dc:subject
  • Microscopie électronique en transmission
  • Germanium
  • Thèses et écrits académiques
  • Silicium
  • Épitaxie par faisceaux moléculaires
  • champs de déformation
  • collage moléculaire
preferred label
  • Boîtes et fils de Ge sur Si(001) ordonnés à longue distance par des réseaux de dislocations de flexion
Language
Subject
dc:title
  • Boîtes et fils de Ge sur Si(001) ordonnés à longue distance par des réseaux de dislocations de flexion
Degree granting institution
note
  • L'élaboration de nanostructures semi-conductrices ordonnées, contrôlées en taille et en position, est un enjeu technologique important pour satisfaire les besoins de miniaturisation des circuits actuels de la micro/nano-électronique. Dans cette thèse, une méthode originale d'organisation latérale de nanostructures a été explorée et appliquée au cas de nanostructures de germanium épitaxiées sur silicium (001). Cette technique utilise un réseau de dislocations de flexion proche de la surface libre du substrat, obtenu par collage moléculaire. Un champ de déformation élastique, périodique, se propageant de l'interface de collage jusqu'à la surface des échantillons, nous avons pu obtenir une croissance organisée de nanostructures de germanium.
  • The growth of ordered semiconductor nanostrucutres, with a controlled size and position, is an major technologic challenge. In this study, we propose an original method to grow by molecular beam epitaxy ordered germanium nanostructures on silicon (001). A periodic array of tilt dislocations is obtained by molecular bounding, and induces a periodic strain field at the surface of the substrate. The observed organization of germanium nanostructures is due to the strain field generated on the silicon surface by an interfacial tilt dislocation array.
dc:type
  • Text
http://iflastandar...bd/elements/P1001
rdaw:P10219
  • 2005
has content type
is primary topic of
is rdam:P30135 of
Faceted Search & Find service v1.13.91 as of Aug 16 2018


Alternative Linked Data Documents: ODE     Content Formats:       RDF       ODATA       Microdata      About   
This material is Open Knowledge   W3C Semantic Web Technology [RDF Data]
OpenLink Virtuoso version 07.20.3229 as of May 14 2019, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (70 GB total memory)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software