About: Elaboration d'hétérostructures d'InN/InP et de semi-conducteurs III-V poreux, caractérisations physico-chimique, optique et électrique   Goto Sponge  NotDistinct  Permalink

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  • Growth study of thin Indium Nitride layers on InP (100) and study of porous semiconductors: physical, optical and electric properties
dc:subject
  • Spectroscopie électronique
  • Thèses et écrits académiques
  • Photoluminescence
  • Semiconducteurs
  • Électrons
  • Auger, Effet
  • Hétérostructures
  • Photoélectrons
preferred label
  • Elaboration d'hétérostructures d'InN/InP et de semi-conducteurs III-V poreux, caractérisations physico-chimique, optique et électrique
Language
Subject
dc:title
  • Elaboration d'hétérostructures d'InN/InP et de semi-conducteurs III-V poreux, caractérisations physico-chimique, optique et électrique
Degree granting institution
note
  • Nous avons élaboré des structures de quatre couches d'InN/InP (100) en enrichissant en In la surface nitrurée à l'aide d'une cellule d'évaporation calibrée. Les propriétés physiques de ces structures ont été étudiées in-situ à l'aide de spectroscopie, des électrons Auger (AES), des photoélectrons X (XPS) et UV (UPS) avant d'être analysées ex-situ par photoluminescence (PL) et mesures électriques (I(V) et C(V)). Nous avons mené une étude de PL en fonction de la température et l'évolution de l'énergie du pic de PL obtenue en fonction de la température suivait la forme en S-inversé caractéristique des effets de localisation. Les caractéristiques électriques courant-tension des structures Hg/InN/InP montrent qu'elles forment un contact Schottky. Les caractéristiques capacité-tension montrent qu'elles se comportent comme une structure lorsqu'on polarise négativement et comme une structure MIS quand on polarise positivement. Dans la dernière partie de cette thèse, des résultats sont présentés sur l'étude des propriétés physico-chimiques et optiques de semi-conducteurs poreux : le GaAs et l'InP poreux. L'effet de confinement quantique dans les cristallites de GaAs poreux a été confirmé après avoir caractérisé optiquement par Photoréflectivité (PR) et photoluminescence (PL) des échantillons de GaAs poreux
dc:type
  • Text
http://iflastandar...bd/elements/P1001
rdaw:P10219
  • 2008
has content type
is primary topic of
is rdam:P30135 of
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