| Attributes | Values |
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| type
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| Thesis advisor
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| alternative label
| - OPTICAL INVESTIGATION IN (111)B-GROWN (IN,GA)AS/GAAS PIEZOELECTRIC HETEROSTRUCTURES
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| dc:subject
| - Physique
- Pac
- Thèses et écrits académiques
- Gallium arsenides
- Indium arsenides
- Indium arseniure
- Photoluminescence
- Experimental study
- Excitons
- Piezoelectric materials
- Etude experimentale
- Etat condense
- Nk
- Compose ternaire
- Heterostructure
- Heterostructures
- Proprietes electriques, magnetiques, optiques
- Ternary compounds
- Exciton
- Effet electrooptique
- Electro-optical effects
- Gallium arseniure
- Compose binaire
- Binary compounds
- Absorption spectra
- Spectre absorption
- As ga
- Gaas
- Piezoelectricite
- Piezoelectricity
- 7866f
- Reflection spectrum
- Spectre reflexion
- As ga in
- Modulation optique
- Optical modulation
- Materiau piezoelectrique
- 7784b
- In0,15ga0,85as
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| preferred label
| - SPECTROSCOPIE D'HETEROSTRUCTURES PIEZO-ELECTRIQUES (INGA)AS/GAAS (111)B
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| Language
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| Subject
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| dc:title
| - SPECTROSCOPIE D'HETEROSTRUCTURES PIEZO-ELECTRIQUES (INGA)AS/GAAS (111)B
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| Degree granting institution
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| note
| - CE MEMOIRE CONTIENT UNE ANALYSE EXPERIMENTALE ET THEORIQUE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES ET OPTIQUES D'HETEROSTRUCTURES PIEZO-ELECTRIQUES IN#0#,#1#5GA#0#,#8#5AS/GAAS (111)B ELABOREES SOUS JETS MOLECULAIRES. LES TECHNIQUES SPECTROSCOPIQUES UTILISEES SONT LA PHOTOLUMINESCENCE, LA REFLECTIVITE, L'ABSORPTION OPTIQUE DETECTEE THERMIQUEMENT ET DEUX TECHNIQUES DE MODULATION : LA PHOTOREFLECTIVITE ET L'ELECTROREFLECTIVITE. LA PRESENCE DE CHAMPS ELECTRIQUES INTENSES D'ORIGINE PIEZO-ELECTRIQUE DANS LES COUCHES CONTRAINTES PROVOQUE DES CHANGEMENTS IMPORTANTS DANS LA STRUCTURE DE BANDES ET A POUR CONSEQUENCE LA MODIFICATION DES ENERGIES DE TRANSITION (EFFET STARK CONFINE QUANTIQUE) ET DE LEUR PROBABILITES. UNE ETUDE PAR PHOTOLUMINESCENCE DES EFFETS D'INJECTION DE PHOTOPORTEURS DANS CES STRUCTURES A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE DES PHENOMENES D'ACCUMULATION DE PORTEURS HORS DES PUITS QUANTIQUES. DES ETUDES PAR PHOTOREFLECTIVITE ONT CONFIRME, PAR ANALYSE DES OSCILLATIONS DE FRANZ-KELDYSH, L'AUGMENTATION DU CHAMP PIEZO-ELECTRIQUE LORSQUE LA TEMPERATURE D'EXPERIENCE S'ELEVE. DES EXPERIENCES D'ELECTROREFLECTIVITE ET ABSORPTION OPTIQUE DETECTEE THERMIQUEMENT, ASSOCIEES A LA MODELISATION DES PROPRIETES EXCITONIQUES, ONT CONDUIT A UNE DETERMINATION PRECISE DE LA VALEUR DU CHAMP PIEZO-ELECTRIQUE : 165 KV.CM#-#1. LA CONSTANTE PIEZO-ELECTRIQUE E#1#4 DEDUITE EST 30% INFERIEURE A LA VALEUR ATTENDUE PAR INTERPOLATION LINEAIRE ENTRE CELLES DES BINAIRES INAS ET GAAS. LA PRISE EN COMPTE DU PHENOMENE DE SEGREGATION DES ATOMES D'INDIUM EN SURFACE REDUIT DE MOITIE CE DESACCORD ET PERMET UNE BONNE DESCRIPTION DES ETATS EXCITES. LA COMPARAISON DES FORCES D'OSCILLATEUR EXPERIMENTALES, DEDUITES DES SPECTRES D'ELECTROREFLECTIVITE, AVEC CELLES CALCULEES PAR UNE METHODE VARIATIONNELLE CONDUIT A UNE DESCRIPTION QUALITATIVE DES EFFETS DE CHAMP ELECTRIQUES.
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