About: Bruit et corrélation dans les transistors MOS en régime de multiplication   Goto Sponge  NotDistinct  Permalink

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  • CROSS-CORRELATION AND NOISE IN SILICON MOSFET'S DURING THE MULTIPLICATION PROCESS
dc:subject
  • Electronique
  • Thèses et écrits académiques
  • MOS (électronique)
  • Sciences appliquees
  • Électrons -- Corrélation
  • Bruit électronique
  • Multiplicateurs photoélectriques -- thèses
  • Fonction de coherence
  • Bruit dans le canal
  • Bruit dans le substrat
  • Coefficient de correlation
  • Conduction dans les t.m.o.s.
  • Regime de multiplication
  • Spectre croise
preferred label
  • Bruit et corrélation dans les transistors MOS en régime de multiplication
Language
Subject
dc:title
  • Bruit et corrélation dans les transistors MOS en régime de multiplication
Degree granting institution
note
  • LE PHENOMENE DE MULTIPLICATION DES PORTEURS DANS LE CANAL D'UN TRANSISTOR M.O.S. EN REGIME DE SATURATION EST ANALYSE POUR EN DEDUIRE LES EQUATIONS DES COURANTS DE DRAIN ET DE SUBSTRAT. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX SONT EN BON ACCORD AVEC LE MODELE OBTENU. LES SOURCES DE BRUIT AU NIVEAU DU DRAIN ET DU SUBSTRAT SONT EVALUEES COMPTE TENU DE LA MULTIPLICATION. L'OBTENTION DU SPECTRE CROISE PERMET DE CALCULER THEORIQUEMENT LA VARIATION DE LA CORRELATION ENTRE CES DEUX SOURCES DE BRUIT EN FONCTION DE LA FREQUENCE. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ANALYSES DANS LE DETAIL SONT EN BON ACCORD AVEC LA THEORIE ET METTENT EN EVIDENCE DES SOURCES DE BRUITS DECORRELEES LORSQUE LES COURANTS SUBSTRAT DEVIENNENT IMPORTANTS. LA DETERMINATION DU FACTEUR DE MULTIPLICATION A PARTIR DES MESURES DE BRUIT CONFIRME LES VALEURS OBTENUES PAR LE MODELE DE CONDUCTION DU PREMIER ORDRE
dc:type
  • Text
http://iflastandar...bd/elements/P1001
rdaw:P10219
  • 1991
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is primary topic of
is rdam:P30135 of
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