Attributes | Values |
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type
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alternative label
| - CAPACITIVE CHARACTERIZATION OF HETEROSTRUCTURES BASED ON III-V SEMICONDUCTOR COMPOUNDS
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dc:subject
| - Pac
- Thèses et écrits académiques
- Experimental study
- Puits quantiques
- Quantum wells
- Etude experimentale
- Heterostructure
- Heterostructures
- Puits quantique
- Composés semiconducteurs
- Heterojonction
- PHYSIQUE
- Dlts
- Heterojunctions
- 7320d
- 7361e
- Iii-v semiconductors
- Semiconducteur iii-v
- Band offset
- Discontinuite bande
- 7320h
- Defect states
- Etat defaut
- Etat interface
- Interface states
- Hétérostructures
- Capacitive method
- Methode capacitive
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preferred label
| - Caractérisation capacitive d'hétérostructures à base de composés semiconducteurs III-V
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Language
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Subject
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dc:title
| - Caractérisation capacitive d'hétérostructures à base de composés semiconducteurs III-V
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Degree granting institution
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note
| - NOUS PRESENTONS, A PARTIR DE MESURES CAPACITIVES, DES METHODES DE DETERMINATION DES DISCONTINUITES DE BANDES DE CONDUCTIONS ET DES DENSITES SURFACIQUES DE DEFAUTS AUX INTERFACES DES HETEROSTRUCTURES. NOTRE DEMARCHE CONSISTE A NE PAS FITTER LES COURBES EXPERIMENTALES ET, EN ADOPTANT QUELQUES HYPOTHESES SIMPLIFICATRICES, DE DONNER DES EXPRESSIONS FACILEMENT EXPLOITABLES DE CES PARAMETRES. DANS CE TRAVAIL NOUS APPLIQUONS CETTE DEMARCHE A DIFFERENTES CATEGORIES D'HETEROSTRUCTURES: HETEROJONCTIONS, PUITS QUANTIQUES SIMPLES, MULTIPUITS QUANTIQUES. DANS CE DERNIER CAS, UNE SEPARATION DES COURANTS THERMOIONIQUE ET TUNNEL DANS LA REPONSE DLTS EN A PERMIS UNE APPROCHE TRES SIMPLE
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dc:type
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http://iflastandar...bd/elements/P1001
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rdaw:P10219
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has content type
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is primary topic
of | |
is rdam:P30135
of | |