About: Caractérisation des propriétés électriques, et du vieillissement de résistors à base de carbure de silicium   Goto Sponge  NotDistinct  Permalink

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dc:subject
  • Impedance
  • Electronique
  • Silice
  • Sic
  • Thèses et écrits académiques
  • Oxydation
  • Vieillissement
  • Sciences et techniques
  • Methode mesure
  • Compose binaire
  • O si
  • Sio2
  • Caracteristique electrique
  • Epaisseur couche
  • Spectrometrie
  • Resistivite electrique
  • C si
  • Resistance electrique
  • Silicium carbure
  • Thermogravimetrie
preferred label
  • Caractérisation des propriétés électriques, et du vieillissement de résistors à base de carbure de silicium
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Subject
dc:title
  • Caractérisation des propriétés électriques, et du vieillissement de résistors à base de carbure de silicium
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note
  • Cette etude s'inscrit dans le cadre d'une collaboration industrielle avec edf. Son objectif est dans un premier temps de developper differentes methodes experimentales permettant la caracterisation electrique d'elements de tres faibles resistivites, a base de carbure de silicium. Ainsi, un dispositif de mesure base sur la methode des quatre points a ete elabore. Il permet des mesures de resistivites de quelques .cm sur des elements de dimensions industrielles, jusqu'a 1500\c. Un dispositif de mesure de proprietes electriques par spectroscopie d'impedance a egalement ete developpe. Il permet des mesures pour des echantillons de faibles resistivites sous atmosphere controlee, jusqu'a 1000\c. Ces methodes, utilisees dans le cas d'echantillon industriels, d'echantillons dopes (b/c, nio, tib 2) ou de composites (sic + yag, al 2o 3, y 2o 3), donnent de nombreuses informations. Dans un second temps, nous avons utilise les methodes developpees precedemment pour suivre l'evolution des proprietes electriques en fonctionnement, c'est a dire en particulier l'influence de l'oxydation du carbure de silicium. Il apparait que la couche d'oxyde (silice) formee en surface lors d'une oxydation passive se comporte comme un bloqueur en terme de conduction electrique. La spectroscopie d'impedance nous permet alors d'acceder a differents parametres tels que l'epaisseur et la structure de cette couche. Ces parametres ont ete quantifies parallelement par thermogravimetrie avec un tres bon accord.
dc:type
  • Text
http://iflastandar...bd/elements/P1001
rdaw:P10219
  • 1999
has content type
is primary topic of
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