About: Comportement de frittés et de films d'oxyde de titane en présence de mélanges gazeux CO-CO2-O2-Ar hors équilibre thermodynamique, mise au point de capteurs résistifs pour la régulation de combustions   Goto Sponge  NotDistinct  Permalink

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  • Non equilibrium behaviour of titanium oxide ceramics and films in CO-CO2-O2-Ar gas streams, transient response of resistive type exhaust gas oxygen sensors
dc:subject
  • Thermodynamique hors équilibre
  • Chimie analytique
  • Thèses et écrits académiques
  • Chimie
  • Corrosion électrochimique
  • Couches minces métalliques
  • Frittage (métallurgie)
  • Oxyde de titane
  • Détecteurs de gaz
  • Pulverisation cathodique
  • Pulvérisation cathodique -- Applications industrielles
  • Gaz de combustion
  • Moteurs à explosion -- Combustion
  • Acier fritté
  • Capteur de gaz
  • Combustion de moteur a explosion
  • Couche epaisse ou mince
  • Hors equilibre thermodynamique
  • Oxydation du monoxyde de carbone
  • Sonde resistive
  • Sonde resistivite
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  • Comportement de frittés et de films d'oxyde de titane en présence de mélanges gazeux CO-CO2-O2-Ar hors équilibre thermodynamique, mise au point de capteurs résistifs pour la régulation de combustions
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Subject
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  • Comportement de frittés et de films d'oxyde de titane en présence de mélanges gazeux CO-CO2-O2-Ar hors équilibre thermodynamique, mise au point de capteurs résistifs pour la régulation de combustions
Degree granting institution
Opponent
note
  • Des capteurs en TiO2, sous forme de céramique, de couche épaisse obtenue par sérigraphie et de couche mince obtenue par pulvérisation cathodique, ont été étudiés sous l'action de flux gazeux en CO-CO2-O2-Ar hors équilibre thermodynamique. En régime stationnaire sous atmosphère oxydante autour de 600oc la résistance des capteurs suit la loi Po2 ½ P0,5/pco0,5 et autour de 830 oc la loi Po2 ½ Pc0 1/2 5. Sous atmosphère réductrice, dans l'intervalle de 600 à 830 oc, la réponse des échantillons massifs suit la loi (p c o 2/ p c o) 0,5 et celle des couches la loi fp o 2 0, 5 avec f fonction du taux de recouvrement (o a d s/sites de surface). En régime transitoire le temps de réponse des films de tio 2 dépend, lors d'un échelon de o 2, de la vitesse de diffusion de o 2 à travers la couche et, lors d'un échelon de Co, de l'interaction gaz-solide. Les couches obtenues par pulvérisation cathodique ont des constantes de temps de réponse de l'ordre de 30 MS.
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  • Text
http://iflastandar...bd/elements/P1001
rdaw:P10219
  • 1990
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is rdam:P30135 of
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