| Attributes | Values |
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| type
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| Thesis advisor
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| Author
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| alternative label
| - Integrated antenna system and recovery of a signal at 13.56 MHz for RFID applications based on silicon technology at very low temperature
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| dc:subject
| - Thèses et écrits académiques
- Systèmes d'identification par radiofréquence
- Antennes (électronique)
- Silicium -- Couches minces
- Transistors en couches minces
- Diodes à barrière de Schottky
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| preferred label
| - Système intégré antenne et redressement d'un signal à 13,56 MHz pour des applications RFID en technologie silicium très basse température
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| Language
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| Subject
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| dc:title
| - Système intégré antenne et redressement d'un signal à 13,56 MHz pour des applications RFID en technologie silicium très basse température
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| Degree granting institution
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| note
| - This study deals on the development of components of the first floor of a passive RFID tag. These include an integrated antenna and a rectifying device. The realization of components is based on silicon technology at very low temperature (T<200°C). The first part of this work consists on the realization of a thin film diode-connected transistor and a Schottky diode. These two elements are required to form the rectifier system operating at 13.56 MHz. Static electrical behavior were investigated to derive their main parameters. The second part is devoted to the use of components, in this case the thin film diodeconnected transistor and Schottky diode with an interface gold / microcrystalline silicon in a rectifying circuit operating at 13.56 MHz. Their ability to provide a perfectly continuous signal after receipt of a sine wave of frequency 13.56 MHz is demonstrated. Also in this section the realization of an antenna dedicated to act as receiver and provider of the AC signal, is discussed. Its operation as a substitute for sinusoidal voltage generator in the rectifier circuit is validated.
- Ce travail de thèse porte sur la mise en place des éléments constitutifs du premier étage d’une étiquette RFID passive. Il s’agit notamment d’une antenne intégrée et d’un dispositif de redressement. La réalisation des composants repose sur la technologie silicium très basse température (T<200°C). La première partie de ce travail concerne la réalisation d’un transistor en couches minces monté en diode et d’une diode Schottky. Ces deux éléments sont appelés à constituer le système redresseur fonctionnant à 13,56 MHz. Leurs comportements électriques statiques ont été étudiés pour en déduire leurs principaux paramètres relatifs à leurs fonctionnements. La seconde partie est consacrée à l’utilisation des composants, en l’occurrence le transistor en couches minces monté en diode et la diode Schottky avec une interface or/silicium microcristallin dans un circuit de redressement fonctionnant à 13,56 MHz. Leur aptitude à fournir un signal parfaitement continu après réception à leurs bornes d’un signal sinusoïdal de fréquence 13,56 MHz est démontrée. Egalement dans cette partie la réalisation d’une antenne, dédiée à jouer le rôle de récepteur et de fournisseur du signal alternatif, est abordée. Son fonctionnement comme substitut du générateur de tension sinusoïdale dans le circuit redresseur est validé.
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| http://iflastandar...bd/elements/P1001
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| rdaw:P10219
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