"2010" . . . . . . "This thesis relates to the fabrication and the characterization of different types of Gallium nitirde based high electron mobility transistors (GaN/AlGaN heterojunction based HEMT) as millimeter and terahertz radiations detectors. The first part of this work presents a state of the art of different types of THz radiation detectors either by electronics, optics or optoelectronics approaches. This part allows a comparison of their performances. The second part deals with design and process technologies to the fabrication of GaN/AlGaN based devices. This part explains particular difficulties encounterd and solutions omplemented in the process fabrication of gratting-gate transistors. The third part describe the experimental results in free-space, up to 550GHz, of these different types of detectors (i.e. NEP, SNR, integrated horn antenna...). This part outlines the THz real-time imaging performed for the first time with GaN/AlGaN based detectors. The last part deals with the study of the intrinsic performance of these detectors. This study is based on the resistive-mixing theory in HEMTs. Modeling of the nonlinear behavior of transistors is achieved. This part relies on resistive-mixing measurements made using a new type of an on-wafer measurement bench developed in our laboratory. In conclusion, a report on the performances of all detectors studies in this thesis is done. This conclusion attempts to answer in the reasonable questions." . . "D\u00E9tecteurs de radiations" . . . . . "Transistors \u00E0 effet de champ" . "Th\u00E8ses et \u00E9crits acad\u00E9miques" . . . "Fabrication and characterization of Gallium nitride based high electron mobility transistors as millimeter and terahertz radiation detector" . "Text" . "Ces travaux de th\u00E8se concerne la r\u00E9alisation et la caract\u00E9risation de d\u00E9tecteurs de radiations sub-millim\u00E9triques et t\u00E9rahertz par des composants \u00E0 effets de champs \u00E0 base d'h\u00E9t\u00E9rojonctions de nitrure de Galium (AlGaN/GaN). La premi\u00E8re partie de ces travaux pr\u00E9sente un \u00E9tat de l'art des diff\u00E9rents types de d\u00E9tecteurs de rayonnement t\u00E9rahertz existants que ce soit par une approche \u00E9lectronique, optique ou opto\u00E9lectronique. Elle permet d'effectuer un comparatif de leurs performances. La seconde partie aborde les aspects de design et de proc\u00E9d\u00E9s technologiques pour la fabrication de ces composants \u00E0 base de nitrure de Galium. Elle expose plus particuli\u00E8rement les difficult\u00E9s rencontr\u00E9es et les solutions mises en places lors de la fabrication de composants \u00E0 r\u00E9seaux de grilles. La troisi\u00E8me partie concerne la caract\u00E9risation en espace libre de ces diff\u00E9rentes topologies de d\u00E9tecteurs pour des fr\u00E9quences allant jusque 550GHz (i.e. NEP, SNR, comparatif avec l\u2019int\u00E9gration d\u2019antenne cornet\u2026). Cette partie expose les premi\u00E8res mesures d'imagerie en temps r\u00E9els r\u00E9alis\u00E9es \u00E0 l'aide de d\u00E9tecteur t\u00E9rahertz \u00E0 base d'h\u00E9t\u00E9rojonctions AlGaN/GaN. La derni\u00E8re partie aborde, quant \u00E0 elle, l'\u00E9tude intrins\u00E8que des performances des d\u00E9tecteurs. Celle-ci est bas\u00E9e sur la th\u00E9orie du m\u00E9lange r\u00E9sistif. Une mod\u00E9lisation du comportement non lin\u00E9aire du d\u00E9tecteur est r\u00E9alis\u00E9e. Elle s'appuie sur des mesures de m\u00E9lange faites \u00E0 l'aide d'un nouveau type de bancs de mesures sous pointes d\u00E9velopp\u00E9s au sein du laboratoire. En conclusion, un bilan sur les performances de diff\u00E9rentes topologies \u00E9tudi\u00E9es essaiera d'offrir des pistes de r\u00E9ponses aux interrogations l\u00E9gitimes sur le sujet abord\u00E9." . "R\u00E9alisation et caract\u00E9risation de d\u00E9tecteurs submillim\u00E9triques et t\u00E9rahertz par des composants \u00E0 effets de champs \u00E0 base de nitrure de Gallium" . . "R\u00E9alisation et caract\u00E9risation de d\u00E9tecteurs submillim\u00E9triques et t\u00E9rahertz par des composants \u00E0 effets de champs \u00E0 base de nitrure de Gallium" . . "D\u00E9tecteurs de microondes" . . . "Nitrure de gallium" . "Rayonnement terahertz" . "Antennes-cornets" . "Imagerie microonde" . .