. . "Transistors bipolaires" . "Photoluminescence" . "Etude des \u00E9pitaxies s\u00E9lectives des alliages SiGe(C) pour \u00E9lectrode de base des transistors bipolaires performants" . "For some years, the interest for BiCMOS technology including very high performances bipolar transistor has been growing. Fabrication of such devices needs fully self aligned architecture easily allowed bya a selective epitaxy of base electrode. The objective of this thesis is to solve main difficulties introduced by using a selective deposition process Si/SiGeC for base electrode development of Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) used in advance BiCMOS technologies. First of all, we deal with an essential characteristic of selective epitaxy of HBT base: the selectivity of silicon deposition, or, in other words, silicon nucleation on dielectric. In the case of silicon selective deposition, we show that the decrease of growth temperature, possible by the use of silane, is not favorable to selectivity. Indeed, the silicon thickness possibly grown selectively decreases as we reduce deposition temperature. We also evaluate a technique for in-situ diagnostic of the selectivity through a pyrometer initially used in our RTCVD reactor. This technique is useful for faster process development but also as in-line control for selective epitaxy process. Then we deal with selective growth of Si, SiGe and SiGeC using silane precursor. Through the use of silane, the growth temperature can be decreased for both Si and SiGe films, which allow a better thickness control for germanium rich SiGe films (>25%) and a reduction of local loading effect. However, this temperature decrease seems to not have impact on fully substitutional embedded carbon amount in selectively grown SiGeC layers. Photoluminescence analysis reveals the strong impact of carbon atoms on crystalline order and carriers recombination mechanisms in SiGeC, compared to germanium atoms. Using these techniques allows a rapid characterization of SiGeC electronic structure and accelerates the development of SiGeC selective growth process." . . "\u00C9pitaxie" . "Depuis quelques ann\u00E9es, l\u2019int\u00E9r\u00EAt pour les technologies BiCMOS comportant des transistors bipolaires \u00E0 tr\u00E8s hautes performances statiques et dynamiques va grandissant. La r\u00E9alisation de tels dispositifs n\u00E9cessite une architecture totalement auto-align\u00E9e pour le transistor bipolaire, rendu possible par une \u00E9pitaxie s\u00E9lective de l\u2019\u00E9lectrode de base. L\u2019objectif de cette th\u00E8se est de rem\u00E9dier aux principales difficult\u00E9s introduites par l\u2019utilisation d\u2019un proc\u00E9d\u00E9 de d\u00E9p\u00F4t s\u00E9lectif Si/SiGeC pour l\u2019\u00E9laboration de l\u2019\u00E9lectrode de base des Transistors Bipolaires \u00E0 H\u00E9t\u00E9rojonction (TBH) des technologies BiCMOS avanc\u00E9es. Nous traitons tout d\u2019abord d\u2019un aspect essentiel de l\u2019\u00E9pitaxie s\u00E9lective de base des TBH : la s\u00E9lectivit\u00E9 du d\u00E9p\u00F4t silicium, ou en d\u2019autres termes, la nucl\u00E9ation du silicium sur le di\u00E9lectrique. Nous montrons que, dans le cas des d\u00E9p\u00F4ts silicium s\u00E9lectif, la baisse de la temp\u00E9rature de croissance, rendue facilement possible par l\u2019utilisation du silane comme pr\u00E9curseur, n\u2019est pas favorable \u00E0 la s\u00E9lectivit\u00E9 du d\u00E9p\u00F4t. Nous \u00E9valuons \u00E9galement un moyen de diagnostic in-situ de la s\u00E9lectivit\u00E9 du d\u00E9p\u00F4t via un pyrom\u00E8tre pr\u00E9sent initialement dans le r\u00E9acteur RT-CVD utilis\u00E9 dans notre \u00E9tude. Cet outil permet, d\u2019une part des d\u00E9veloppements de proc\u00E9d\u00E9 plus rapide mais constitue \u00E9galement un bon moyen de contr\u00F4le en ligne du proc\u00E9d\u00E9 de d\u00E9p\u00F4t s\u00E9lectif. Nous abordons ensuite le th\u00E8me de la croissance s\u00E9lective des couches Si, SiGe et SiGeC \u00E0 l\u2019aide du pr\u00E9curseur silane. Nous montrons que l\u2019utilisation de ce pr\u00E9curseur autorise une diminution de la temp\u00E9rature de croissance pour les films Si et SiGe, permettant notamment un meilleur contr\u00F4le en \u00E9paisseur des films SiGe riches en germanium (>25%) ainsi qu\u2019une diminution des effets de charges locaux. En revanche, cette diminution de la temp\u00E9rature de d\u00E9p\u00F4t ne semble pas avoir d\u2019impact sur la quantit\u00E9 de carbone incorporable de mani\u00E8re totalement substitutionnelle dans les couches SiGeC s\u00E9lectives. Nos analyses par photoluminescence des films SiGeC permettent de mettre en \u00E9vidence le fort impact des atomes de carbone sur le d\u00E9sordre cristallin et les m\u00E9canismes de recombinaison des porteurs dans le SiGeC, compar\u00E9 \u00E0 celui des atomes de germanium. L\u2019utilisation de ces techniques de photoluminescence permet la caract\u00E9risation rapide de la structure \u00E9lectronique des films SiGeC et acc\u00E9l\u00E8re ainsi le d\u00E9veloppement du proc\u00E9d\u00E9 de croissance s\u00E9lective des couches SiGeC. Enfin, des probl\u00E9matiques \u00E0 caract\u00E8re plus industrielles sont trait\u00E9es. Nous pr\u00E9sentons les solutions apport\u00E9es en termes d\u2019uniformit\u00E9 en \u00E9paisseur des d\u00E9p\u00F4ts, ou bien concernant la qualit\u00E9 du lien unissant les parties intrins\u00E8ques et extrins\u00E8ques de l\u2019\u00E9lectrode de base des TBH." . "Etude des \u00E9pitaxies s\u00E9lectives des alliages SiGe(C) pour \u00E9lectrode de base des transistors bipolaires performants" . . "Th\u00E8ses et \u00E9crits acad\u00E9miques" . "2010" . "Text" . . . . "Study of SiGe(C) alloys selective epitaxial growth for high performances bipolar transistor base electrode" . . . . . . . .