. "2009" . "Gallium" . "Cu(IN,Ga)Se2" . "Cu(In,Ga)Se\u00B2 solar cells, optimization of the absorber to (In,Ga)\u00B2S3 coevapored buffer layer" . . . . "Th\u00E8ses et \u00E9crits acad\u00E9miques" . . . . "Cuivre -- Compos\u00E9s" . "Couches minces m\u00E9talliques" . "Text" . . . . . . "Les cellules solaires standards \u00E0 base de Cu(In,Ga) Se2 poss\u00E8dent une fine couche tampon de sulfure de cadmium d\u00E9pos\u00E9e par bain chimique. Son remplacement par une couche tampon exempte de cadmium et d\u00E9pos\u00E9e par proc\u00E9d\u00E9 physique sous vide est un des challenges de la communaut\u00E9 depuis quelques ann\u00E9es. Dans ce travail, une double approche a \u00E9t\u00E9 suivie, en \u00E9tudiant les propri\u00E9t\u00E9s de la nouvelle couche tampon alternative mais en s'int\u00E9ressant aussi \u00E0 son interface avec la couche CIGSe et en travaillant sp\u00E9cifiquement \u00E0 l'optimisation du CIGSe \u00E0 la nouvelle couche tampon. Un premier aspect a donc \u00E9t\u00E9 l'\u00E9tude de couches tampons \u00E0 base de sulfure d'indium. L'introduction d'aluminium dans les couches a permis de r\u00E9duire les discontinuit\u00E9s de bande \u00E0 l'interface avec le CIGSe et de diminuer les recombinaisons. En parrall\u00E8le un travail sur le contr\u00F4le des propri\u00E9t\u00E9s de couches de CIGSe d\u00E9pos\u00E9es par coevaporation a \u00E9t\u00E9 men\u00E9. L'optimisation de caract\u00E9ristiques comme la rugosit\u00E9 et la texturation des couches a permis l'obtention de dispositifs \u00E0 couche tampon CdS \u00E0 des rendements proches de 18 %. L'effet des propri\u00E9t\u00E9s de la couche du CIGSe sur l'interface avec la couche tampon de (In,A1)2S3 a enfin \u00E9t\u00E9 etudi\u00E9. L'optimisation des param\u00E8tres de l'absorbeur et notamment de la rugosit\u00E9 a permis d'atteindre des rendements de cellules de l'ordre de 13 % avec la couche tampon PVD." . . . "Standard Cu(In,Ga)Se2(CGISe) based solar cells have a thin, chemical bath deposited, cadmium sulfide buffer layer. Its replacement by a cadmium-free material deposited by a physical process (PVD) is among the challenges of the research community. In the present work, a dual approach has been followed working on both the properties of a new alternative buffer layer and the optimisation of the CIGSe layer. The new buffer layer investigated belongs to the indium sulfide family\u00A0: In2-2xA12xS3. It is observed that the partial substitution of indium by aluminium yields a band gap increase of the material mainly affecting the conduction band states. Meanwhile, an accurate tuning of the CIGSe growth parameters allowed the control the films, grains orientation and roughness. This optimisation of the CIGSe led to the reach of national record 18 % efficiency cell. Furthermore, the combination of these progress with the understanding of the In2-2x-A12xS3, films properties makes it possible the realisation of 13 % efficiency devices with a PVD deposited (In,A1)2-S3 buffer layer." . "Cellules solaires \u00E0 base de Cu(In,Ga)Se\u00B2, adaptation des propri\u00E9t\u00E9s de l'absorbeur \u00E0 la couche tampon d'(In,Al)\u00B2S3 co-\u00E9vapor\u00E9e" . "Photopiles" . "Cellules solaires \u00E0 base de Cu(In,Ga)Se\u00B2, adaptation des propri\u00E9t\u00E9s de l'absorbeur \u00E0 la couche tampon d'(In,Al)\u00B2S3 co-\u00E9vapor\u00E9e" . "Op\u00E9rateurs de diffusion" . . "Indium" . . .