. "2012" . . "Th\u00E8ses et \u00E9crits acad\u00E9miques" . . . . "Microcavit\u00E9s" . . . . . . . . "Text" . "Fabrication and study of AIN optical resonators containing GaN quantum dots for UV emitters and new concepts for the growth of GaN on silicon substrates" . . "Cette \u00E9tude porte sur la fabrication de cavit\u00E9s optiques \u00E0 base d\u2019AlN pour la r\u00E9alisation de micro-sources UV. A partir de films d\u2019AlN \u00E9pitaxi\u00E9s sur substrats silicium par EJM-NH3, des cavit\u00E9s \u00E0 cristaux photoniques (CPs) et des microdisques ont \u00E9t\u00E9 fabriqu\u00E9s. Deux proc\u00E9d\u00E9s de fabrication de type \u00AB bottom-up \u00BB et \u00AB top-down \u00BB ont \u00E9t\u00E9 d\u00E9velopp\u00E9s et compar\u00E9s. Quelque soit le proc\u00E9d\u00E9 de fabrication, les CPs poss\u00E8dent des facteurs de qualit\u00E9 (Q) comparables. Cependant, l\u2019approche classique \u201Ctop-down\u201D permet d\u2019obtenir un meilleur rendement de fabrication. Des valeurs de Q autour de 4400 sont mesur\u00E9es dans le proche UV et on d\u00E9montre un bon contr\u00F4le de l\u2019\u00E9nergie du mode de cavit\u00E9 en fonction des param\u00E8tres structuraux de la cavit\u00E9. Dans les microdisques, on mesure des Q sup\u00E9rieurs \u00E0 7000 dans le proche UV. Les bo\u00EEtes quantiques (BQs) GaN/AlN s\u2019av\u00E8rent \u00EAtre des \u00E9metteurs efficaces dans l\u2019UV mais \u00E0 cause d\u2019un fort champ \u00E9lectrique interne, leur dur\u00E9e de vie radiative est longue et le nombre de photons qui se trouve dans le mode de cavit\u00E9 est trop faible pour obtenir un effet laser. Nous avons modifi\u00E9 le mode de croissance des BQs GaN/AlN afin d\u2019obtenir des BQs plus petites, et ainsi raccourcir leur temps de vie radiatif. Dans la derni\u00E8re partie de l\u2019\u00E9tude, nous proposons des strat\u00E9gies pour am\u00E9liorer la croissance du GaN sur Si. En particulier, nous proposons un traitement de surface original qui permet de r\u00E9duire la densit\u00E9 de dislocations dans le GaN. Enfin, une \u00E9tude de la croissance sur substrats structur\u00E9s indique que cette technique permet d\u2019emp\u00EAcher la fissuration du GaN sur Si." . "Fabrication and study of AIN optical resonators containing GaN quantum dots for UV emitters and new concepts for the growth of GaN on silicon substrates" . "This work focuses on the fabrication of AlN-based optical cavities for the realization of UV microsources. Using AlN epitaxial films grown on silicon substrates by NH3-assisted MBE, photonic crystal cavities (PCs) and microdisk (\uF06Ddisk) resonators are fabricated. A bottom-up and a top-down fabrication process are developed and assessed. PCs exhibit similar optical quality factors (Q) whatever the fabrication process. However the top-down fabrication process gives a much better fabrication yield. Q values up to 4400 are measured in the near UV and a good control of the energy of cavity modes is demonstrated. On the other hand, \uF06Ddisk resonators exhibit whispering gallery modes with Q factors above 7000 in the near UV. GaN/AlN quantum dots (QDs) turn out to be intense UV emitters but due to the strong internal electric field, their radiative lifetime is long and the number of photons feeding the cavity mode is likely too low for lasing. The growth mode of GaN/AlN QDs is studied and modified to obtain smaller dots in order to shorten their radiative lifetime. In a last part, new growth strategies are developed to improve and facilitate the growth of GaN on Si. An original surface treatment is studied to decrease the dislocation density in GaN layers. Also, growth on patterned silicon substrates is studied to overcome the cracking of GaN layers grown on silicon substrates." . "Fabrication et \u00E9tude de r\u00E9sonateurs optiques \u00E0 base d'AIN contenant des bo\u00EEtes quantiques GaN pour l'\u00E9mission UV et nouveaux concepts pour la croissance du GaN sur substrat silicium" . "Cristaux photoniques" . "Nitrures" . . . "Th\u00E9orie quantique" . . . "Silicium" .