. "Diffusion (physique)" . "Diffusion" . . . "Atomic redistribution of metallic contaminants at interfaces of CMOS devices" . . . . "Spectrom\u00E9trie de masse d'ions secondaires" . . . "Au cours de ces travaux de th\u00E8se, nous avons \u00E9tudi\u00E9 la redistribution atomique de contaminantsm\u00E9talliques dans le silicium et au voisinage d'une interface SiO2/Si. Pour mener \u00E0 bien cette\u00E9tude, trois techniques de caract\u00E9risation compl\u00E9mentaires ont \u00E9t\u00E9 utilis\u00E9es (TEM,APT,SIMS).Nous avons dans un premier temps \u00E9tudi\u00E9 la diffusion ainsi que la s\u00E9gr\u00E9gation d'\u00E9quilibre de contaminants \u00E0 une interface SiO2/Si, et plus particuli\u00E8rement, la diffusion du W et du Mo. Le Wpr\u00E9sente une cin\u00E9tique de diffusion extr\u00EAmement lente. Les caract\u00E9risations r\u00E9alis\u00E9es par TEM et APT nous ont permis de discuter les profils de concentrations mesur\u00E9s par SIMS et nous ont guid\u00E9s dans le choix du mod\u00E8le de diffusion propos\u00E9. L'\u00E9tude de la diffusion du Mo r\u00E9v\u00E9le que cette esp\u00E8ce pr\u00E9sente une limite de solubilit\u00E9 faible dans le silicium et une forte interaction avec des d\u00E9fauts d'irradiation, provoquant sa pr\u00E9cipitation.Dans un second volet, nous nous sommes int\u00E9ress\u00E9s \u00E0 l'effet d'une interface mobile, lors d'une r\u00E9action, sur la redistribution atomique des contaminants proches de cette interface. Nous avons ainsir\u00E9alis\u00E9 une \u00E9tude comparative des comportements du Fe et W lors de proc\u00E9d\u00E9s d'oxydation.Le tungst\u00E8ne pr\u00E9cipite dans le volume et est progressivement rejet\u00E9 par l'oxydation. Le ferpr\u00E9cipite \u00E0 l'interface SiO2/Si, provoquant un effet de masquage dont nous avons montr\u00E9 qu'il \u00E9taitresponsable de la formation de d\u00E9fauts pyramidaux d'interface, caract\u00E9ristiques d'une contaminationen fer du silicium. Le proc\u00E9d\u00E9 de germano-siliciuration de nickel, r\u00E9alis\u00E9 \u00E0 basses temp\u00E9ratures a \u00E9galement \u00E9t\u00E9 investigu\u00E9. Cette r\u00E9action provoque le rejet 3D du germanium \u00E0 l'interface NiSiGe/SiGe." . "Text" . "S\u00E9gr\u00E9gation dynamique" . "Th\u00E8ses et \u00E9crits acad\u00E9miques" . . . . . "Mod\u00E9lisation" . "2014" . "During this thesis work, we studied the atomic redistribution of metallic contaminantsin silicon and near a SiO2/Si interface. To conduct this study, we used three complementary characterisation techniques : transmission electron microscopy (TEM), atomic probe tomography (APT) and secondary ion mass spectrometry (SIMS).We first studied the diffusion and equilibrium segregation of various contaminants at a SiO2/Si interface, and more particularly, the diffusion of W and Mo. W exhibits a very slow diffusion kinetic.Physico-chemical characterizations performed by TEM and APT allowed discussing the concentrationprofiles obtained by SIMS leading to the diffusion model that we proposed. The study of Mo diffusionrevealed that this specy exhibits a low solubility limit in silicon and strongly interacts with irradiation-induced defects, leading to its precipitation.In a second phase, we studied the effect of a mobile interface, during a reaction, on the atomic redistribution of contaminants near this interface. We performed a comparative study of the behaviourof Fe and W during oxidation processes. W precipitates in the silicon substrate and is progressivelyrejected (snowplow) by the oxidation. Fe preferentially precipitates at the SiO2/Si interface. Theseprecipitates mask a part of the silicon substrate and thus hinder its oxidation, leading to the formation of characteristics pyramidal-shaped defects at the interface. Low temperature nickel germano-silicide formation have also been investigated. This reaction leads to the 3D snowplow of germanium atoms at the NiSiGe/SiGe interface." . . . . "S\u00E9gr\u00E9gation (m\u00E9tallurgie)" . "Microscopie \u00E9lectronique en transmission" . . "Sondes atomiques tomographiques" . "Sonde atomique tomographique" . . "Spectrom\u00E9trie de masse des ions secondaires" . "Redistribution atomique de contaminants m\u00E9talliques aux interfaces des structures des technologies CMOS" . . . . "Redistribution atomique de contaminants m\u00E9talliques aux interfaces des structures des technologies CMOS" .