. "The reduction continues dimensions of the active zones of the components for micro-electronics Silicon imposes a continuous improvement of the performances of the analysis by secondary ions mass spectrometry, whose performances are lirnited today by the appearance of a roughness in the crater bottom in the forms of undulations where facets. The control of this roughness is crucial for which wants to reach the ultimate depth resolution of the technique. This work concerns the study of roughness to high and low impact energy and its consequences for the profiles of impurities in single crystal silicon. The principal elements which come out from this study are: Roughness starts to appear all the earlier as the incidence angle increases. Our results do not show a strong surface orientation dependence on the development of roughening. Qualitative study of the state of oxidation of the facets was carried out using two methods: \u201CTunneling AFM\\\" and \\\"phase contrast\\\". With low energy, the roughness is low under oxygen flooding. It leads to the widening of the profiles and the variation the speed of erosion." . . "Rugosit\u00E9" . "Silicium" . . . "Caract\u00E9risation par spectrom\u00E9trie de masse des ions secondaires des zones actives du CMOS ultime, \u00E9tude de la rugosit\u00E9 en fond du crat\u00E8re et ses cons\u00E9quences sur la vitesse d'\u00E9rosion et sur la r\u00E9solution en profondeur" . "Caract\u00E9risation par spectrom\u00E9trie de masse des ions secondaires des zones actives du CMOS ultime, \u00E9tude de la rugosit\u00E9 en fond du crat\u00E8re et ses cons\u00E9quences sur la vitesse d'\u00E9rosion et sur la r\u00E9solution en profondeur" . "Spectrom\u00E9trie de masse des ions secondaires" . . . "Text" . "2004" . . . "Characterization by secondary ion mass spectrometry of the active zones of the ultimate CMOS, study of roughness in crater bottom and its effects on the speed of erosion and the depth resolution" . "Characterization by secondary ion mass spectrometry of the active zones of the ultimate CMOS" . . . "\u00C9rosion" . "Th\u00E8ses et \u00E9crits acad\u00E9miques" . . "La r\u00E9duction continue des dimensions des zones actives des composantes pour la micro\u00E9lectronique silicium impose une am\u00E9lioration continue des performances de l'analyse par spectrom\u00E9trie de Masse des Ions Secondaires (SIMS), dont les performances sont aujourd'hui limit\u00E9es par l'apparition d'une rugosit\u00E9 en fond de crat\u00E8re d'\u00E9rosion sous formes d'ondulations o\u00F9 de facettes. La ma\u00EEtrise de cette rugosit\u00E9 est cruciale pour qui veut atteindre les r\u00E9solutions en profondeur ultimes de la technique. Le travail men\u00E9 porte sur l'\u00E9tude de la rugosit\u00E9 \u00E0 haute et \u00E0 basse \u00E9nergie d'impact et de ses cons\u00E9quences pour les profils en profondeur d'impuret\u00E9s dans le silicium monocristallin. Les principaux \u00E9l\u00E9ments qui ressortent de cette \u00E9tude sont les suivants : - La rugosit\u00E9 commence \u00E0 appara\u00EEtre d'autant plus t\u00F4t que l'angle d'incidence augmente. La longueur d'onde de la rugosit\u00E9 (distance entre deux cr\u00EAtes) augmente avec l'\u00E9nergie d'impact. Les signaux de matrice varient et le taux de pulv\u00E9risation accuse une baisse notable par rapport au taux initial. - Le d\u00E9veloppement de la rugosit\u00E9 \u00E9volue ind\u00E9pendamment de la direction cristalline. - Une \u00E9tude qualitative de l'\u00E9tat d'oxydation des facettes a \u00E9t\u00E9 r\u00E9alis\u00E9e \u00E0 l'aide de deux m\u00E9thodes par la m\u00E9thode \\\"TUNA\\\" (Tunneling AFM) bas\u00E9e sur la mesure du courant de fuite dans les oxydes. Il en ressort que les deux cot\u00E9s des facettes ne pr\u00E9sentent pas les m\u00EAmes propri\u00E9t\u00E9s \u00E9lectriques. La face expos\u00E9e au faisceau d'oxyg\u00E8ne pr\u00E9sente une petite fuite du courant (o\u00F9 l'oxyde stoechiom\u00E9trique domine) compar\u00E9e \u00E0 la face loin du faisceau (o\u00F9 l'oxyde sub-stoechiom\u00E9trique domine). Une m\u00E9thode bas\u00E9e sur le contraste de phase de l'AFM a \u00E9t\u00E9 test\u00E9e. - \u00C0 basse \u00E9nergie et en utilisant les delta-dopages, la rugosit\u00E9 est faible sous soufflage d'oxyg\u00E8ne compar\u00E9e au cas sans soufflage. Nous avons d\u00E9gag\u00E9 ce qui semble la meilleure condition d'analyse : 0.5keV, 44\u02BF avec soufflage. La rugosit\u00E9 conduit \u00E0 deux ph\u00E9nom\u00E8nes perturbateurs : * Elargissement des profils en fonction de la profondeur. Cette perte de r\u00E9solution correspond \u00E0 la valeur de la rugosit\u00E9 rms. Nous avons \u00E9tabli que la r\u00E9solution est meilleure sous soufflage. * Variation de la vitesse d'\u00E9rosion avec la profondeur (baisse tr\u00E8s marqu\u00E9e : 30 % dans le cas de 1 keV 48\u02BF sans soufflage), qui provoque une mauvaise calibration en profondeur." . . . .