@prefix rdf: . @prefix ns1: . @prefix frbr: . ns1:id rdf:type frbr:Work . @prefix rdac: . ns1:id rdf:type rdac:C10001 . @prefix marcrel: . @prefix ns5: . ns1:id marcrel:ths ns5:id . @prefix ns6: . ns1:id marcrel:aut ns6:id . @prefix skos: . ns1:id skos:altLabel "Experimental study and modelling of mass transfer in atmospheric pressure Townsend discharges in HMDSO-N2O-N2 and SiH4-N2O-N2 mixtures" . @prefix dc: . ns1:id dc:subject "Silane -- D\u00E9riv\u00E9s" , "G\u00E9n\u00E9rateurs d'impulsions" , "D\u00E9p\u00F4t de couches minces" , "Mod\u00E9lisation d'\u00E9coulement r\u00E9actif" , "Hexam\u00E9thyldisiloxane" , "Plasmas (gaz ionis\u00E9s)" , "D\u00E9charges contr\u00F4l\u00E9es par barri\u00E8re di\u00E9lectrique" , "Th\u00E8ses et \u00E9crits acad\u00E9miques" , "D\u00E9charges \u00E9lectriques" , "Transfert de masse -- Mod\u00E8les math\u00E9matiques" , "Couches minces" , "Silane" , "Plasma \u00E0 pression atmosph\u00E9rique" ; skos:prefLabel "Etude exp\u00E9rimentale et mod\u00E9lisation du transfert de mati\u00E8re dans des d\u00E9charges de Townsend \u00E0 pression atmosph\u00E9rique en m\u00E9lange HMDSO-N2O-N2 et SiH4-N2O-N2" . @prefix dcterms: . @prefix ns10: . ns1:id dcterms:language ns10:fra . @prefix ns11: . ns1:id dcterms:subject ns11:id . @prefix ns12: . ns1:id dcterms:subject ns12:id . @prefix ns13: . ns1:id dcterms:subject ns13:id . @prefix ns14: . ns1:id dcterms:subject ns14:id . @prefix ns15: . ns1:id dcterms:subject ns15:id . @prefix ns16: . ns1:id dcterms:subject ns16:id . @prefix ns17: . ns1:id dcterms:subject ns17:id . @prefix ns18: . ns1:id dcterms:subject ns18:id ; dc:title "Etude exp\u00E9rimentale et mod\u00E9lisation du transfert de mati\u00E8re dans des d\u00E9charges de Townsend \u00E0 pression atmosph\u00E9rique en m\u00E9lange HMDSO-N2O-N2 et SiH4-N2O-N2" . @prefix ns19: . ns1:id marcrel:dgg ns19:id ; skos:note "The aim of this work is to better understand the primary deposition mechanisms in atmospheric pressure plasma-enhanced thin film deposition in order to optimize the processes which lead to a silicon oxide film in HMDSO-N2O-N2 or SiH4-N2O-N2 mixtures. First, the chemical and structural layer properties were determined for various experimental conditions. The process is then simulated using FLUENT(c) taking into account fluid dynamics, mass-transfer and chemical reactions. Once validated based on experimental results, this simulation provides a better understanding of the mechanisms which govern the growth process. For HMDSO-containing mixtures, our results highlight that the HMDSO dissociation into silicon-containing radicals is the process rate-limiting step. The relative importance of convection and diffusion in the transport of radicals is quantified. The model also shows that HMDSO quenches nitrogen metastable species which are responsible for the dissociation of the precursor. For SiH4-containing mixtures powders appear to form at rates which are much higher than those allowed by the gas-kinetic theory. Besides, the influence of the gas recirculations on the discharge stability and on the film homogeneity is established. Based on our results, an optimization study of the cell discharge is achieved." , "L'objectif de ce travail est de mieux comprendre les principaux m\u00E9canismes de d\u00E9p\u00F4t de couches minces assist\u00E9 par plasma \u00E0 pression atmosph\u00E9rique en vue d'optimiser les proc\u00E9d\u00E9s conduisant \u00E0 une couche d'oxyde de silicium \u00E0 partir d'un m\u00E9lange HMDSO-N2O-N2 ou SiH4-N2O-N2. Apr\u00E8s avoir d\u00E9termin\u00E9 de mani\u00E8re pr\u00E9cise les propri\u00E9t\u00E9s chimiques et structurales des couches r\u00E9alis\u00E9es dans diverses conditions exp\u00E9rimentales, le proc\u00E9d\u00E9 est simul\u00E9 en utilisant FLUENT(c) en prenant en compte les ph\u00E9nom\u00E8nes d'\u00E9coulement et de transfert r\u00E9actif de mati\u00E8re. Valid\u00E9 par comparaison avec les r\u00E9sultats exp\u00E9rimentaux, ce mod\u00E8le donne acc\u00E8s \u00E0 une meilleure compr\u00E9hension des m\u00E9canismes gouvernant la croissance du film. Pour le m\u00E9lange \u00E0 base de HMDSO, nos r\u00E9sultats montrent que la dissociation du pr\u00E9curseur en radicaux silici\u00E9s est l'\u00E9tape limitante du proc\u00E9d\u00E9. Le mod\u00E8le a permis de quantifier l'importance de la convection et de la diffusion dans le transport des radicaux. Il a mis en \u00E9vidence le quenching par HMDSO des m\u00E9tastables d'azote, esp\u00E8ces responsables de la dissociation du pr\u00E9curseur. Pour les m\u00E9langes \u00E0 base de SiH4, le mod\u00E8le a montr\u00E9 que la cin\u00E9tique de formation des poudres est plus rapide que celle correspondant aux taux maximums de collision issus de la th\u00E9orie cin\u00E9tique des gaz. Par ailleurs, nous avons \u00E9tabli l'influence des recirculations de gaz sur la stabilit\u00E9 des d\u00E9charges et sur l'homog\u00E9n\u00E9it\u00E9 des d\u00E9p\u00F4ts. Sur la base de nos r\u00E9sultats, une \u00E9tude d'optimisation du proc\u00E9d\u00E9 est effectu\u00E9e." ; dc:type "Text" . @prefix ns20: . @prefix ns21: . ns1:id ns20:P1001 ns21:T1009 . @prefix rdaw: . ns1:id rdaw:P10219 "2007" . @prefix rdau: . ns1:id rdau:P60049 .