@prefix rdf: . @prefix ns1: . @prefix rdac: . ns1:id rdf:type rdac:C10001 . @prefix frbr: . ns1:id rdf:type frbr:Work . @prefix marcrel: . @prefix ns5: . ns1:id marcrel:ths ns5:id . @prefix ns6: . ns1:id marcrel:aut ns6:id . @prefix skos: . ns1:id skos:altLabel "10,6 mu non linear properties of liquid crystals and semiconductors" . @prefix dc: . ns1:id dc:subject "Infrarouge" , "Conjugaison de phase (optique)" , "Nonlin\u00E9arit\u00E9s optiques" , "Th\u00E8ses et \u00E9crits acad\u00E9miques" , "Cristaux liquides" , "Semiconducteurs" , "Amplification" ; skos:prefLabel "\u00C9tude des propri\u00E9t\u00E9s non lin\u00E9aires des cristaux liquides et des semiconducteurs dans l'infrarouge \u00E0 10,6 microns" . @prefix dcterms: . @prefix ns10: . ns1:id dcterms:language ns10:fra . @prefix ns11: . ns1:id dcterms:subject ns11:id . @prefix ns12: . ns1:id dcterms:subject ns12:id . @prefix ns13: . ns1:id dcterms:subject ns13:id . @prefix ns14: . ns1:id dcterms:subject ns14:id ; dc:title "\u00C9tude des propri\u00E9t\u00E9s non lin\u00E9aires des cristaux liquides et des semiconducteurs dans l'infrarouge \u00E0 10,6 microns" . @prefix ns15: . ns1:id marcrel:dgg ns15:id ; skos:note "Cette th\u00E8se a pour objet l'\u00E9tude des propri\u00E9t\u00E9s des cristaux liquides et des semiconducteurs dans l'infrarouge (a = 10.6 microns). Dans une premi\u00E8re partie, nous pr\u00E9sentons le m\u00E9lange \u00E0 un cristal liquide n\u00E9matique. La nonlin\u00E9arit\u00E9, d'origine thermique est d\u2019autant plus grande que l'on est pr\u00E8s de la temp\u00E9rature de transition n\u00E9matique isotrope. De grandes variations d'indice ont \u00E9t\u00E9 ainsi observ\u00E9es en continu et \u00E0 faible densit\u00E9 de puissance incidente. Le transfert d'\u00E9nergie d'une onde pompe (intense) vers une onde signal a \u00E9t\u00E9 mise en \u00E9vidence. Afin d'expliquer le ph\u00E9nom\u00E8ne d\u2019amplification, un mod\u00E8le th\u00E9orique tenant compte de trois ondes (les deux ondes incidentes et le conjug\u00E9 en phase vers l'avant de l'onde signal a \u00E9t\u00E9 d\u00E9velopp\u00E9. Dans une seconde partie nous pr\u00E9sentons le m\u00E9lange \u00E0 deux ondes et \u00E0 quatre ondes dans le semiconducteur Hg1\u00B7xCdxTe. La nonlin\u00E9arit\u00E9 est li\u00E9e \u00E0 la g\u00E9n\u00E9ration des paires \u00E9lectron-trou lorsque l'on \u00E9claire en continu et que l'on op\u00E8re au voisinage du gap. Un calcul th\u00E9orique met en \u00E9vidence les diff\u00E9rents param\u00E8tres exp\u00E9rimentaux contribuant \u00E0 la nonlin\u00E9arit\u00E9. Nous d\u00E9veloppons une partie exp\u00E9rimentale sur le m\u00E9lange \u00E0 deux ondes en \u00E9tablissent un parall\u00E8le avec le cas des cristaux liquides. Par ailleurs, l'exp\u00E9rience de conjugaison de phase a permis d'obtenir une r\u00E9flectivit\u00E9 de l'onde conjugu\u00E9e de l'ordre du pour cent avec des densit\u00E9s de puissance de quelques watt/cm\u00B2." ; dc:type "Text" . @prefix ns16: . @prefix ns17: . ns1:id ns16:P1001 ns17:T1009 . @prefix rdaw: . ns1:id rdaw:P10219 "1987" . @prefix rdau: . ns1:id rdau:P60049 .