About: Francis Balestra

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sameAs	Balestra, Francis (19..-.... ; microélectronicien) Balestra, Francis (19..-.... ; microélectronicien) Balestra, Francis (19..-.... ; microélectronicien) Balestra, Francis (19..-.... ; microélectronicien)
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name	Francis Balestra
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Given name	Francis
familyName	Balestra
has biographical i...tion (Deprecated)	Spécialisé en microélectronique. - Auteur d'une thèse de 3e cycle en électronique (Grenoble INPG, 1985). - HDR (1990), directeur de thèse à Grenoble INPG (1990-). - Directeur du Laboratoire de physique des composants à semiconducteurs (LPCS, devenu IMEP) du CNRS en 2001
gender	male
Scopus ID	57225689257
is sameAs of	Balestra, Francis (19..-.... ; microélectronicien)
is Thesis advisor of	Étude et réalisation de transistors à effet de champ à canal InP pour l'intégration optoélectronique http://www.sudoc.fr/049595245/id http://www.sudoc.fr/14266958X/id http://www.sudoc.fr/061226610/id Application de la microscopie d'émission de photons à la caractérisation de composants en carbure de silicium (SiC) Nouvelles architectures de grille pour les générations CMOS 0.1 µm et en deça http://www.sudoc.fr/04360496X/id http://www.sudoc.fr/070321299/id http://www.sudoc.fr/165099550/id http://www.sudoc.fr/172151341/id http://www.sudoc.fr/043619193/id Étude physique de dispositifs SOI partiellement désertés fortement sub-microniques http://www.sudoc.fr/066778050/id http://www.sudoc.fr/053753801/id http://www.sudoc.fr/223771902/id Comportement en bruit basse fréquence des principales architectures de composants MOS/SOI avancés Étude des dispositifs MOS de longueur de grille inférieure à 0,1 µm, vers les limites de l'intégration du CMOS sur silicium http://www.sudoc.fr/061225460/id http://www.sudoc.fr/084641711/id http://www.sudoc.fr/072644524/id http://www.sudoc.fr/049595202/id http://www.sudoc.fr/077731409/id http://www.sudoc.fr/012481610/id http://www.sudoc.fr/06678221X/id http://www.sudoc.fr/061190144/id Étude et mise au point de transistors bipolaires NPN à structure double-polysilicium intégrables dans une technologie BiCMOS 0,35 µm http://www.sudoc.fr/049578189/id http://www.sudoc.fr/053782089/id http://www.sudoc.fr/087577364/id http://www.sudoc.fr/04957552X/id http://www.sudoc.fr/115057366/id http://www.sudoc.fr/226390020/id http://www.sudoc.fr/246442042/id http://www.sudoc.fr/24650272X/id http://www.sudoc.fr/246651407/id Génération des porteurs chauds et fiabilité des transistors mos sub-0,1 µm, influence de l'architecture des composants http://www.sudoc.fr/126104948/id http://www.sudoc.fr/126426384/id Contribution à l'étude des performances et de la fiabilité des architectures MOS fabriquées en technologie silicium massif, silicium sur isolant et silicium germanium Caractérisation et modélisation en radiofréquence de composants intègres en technologies silicium-sur-isolant Étude des propriétés physiques et electriques de transistors mos fortement submicroniques http://www.sudoc.fr/24668514X/id http://www.sudoc.fr/126116210/id http://www.sudoc.fr/12610607X/id http://www.sudoc.fr/12610560X/id http://www.sudoc.fr/126118361/id http://www.sudoc.fr/262823667/id http://www.sudoc.fr/246790652/id Contribution à l'étude des défauts de l'interface silicium/isolant dans les transistors MOS avancés http://www.sudoc.fr/126427976/id http://www.sudoc.fr/12643025X/id Propriétés électriques et modèles physiques des composants mos/soi (simox) à température ambiante et cryogénique Étude de la fiabilité sous éclairement des transistors spécifiques aux applications capteurs d'images à pixels actifs http://www.sudoc.fr/245677437/id Étude de dispositifs MOS de longueur de grille inférieure ou égale à 30 nm http://www.sudoc.fr/246967382/id Transistors à grilles multiples adaptés à la conception http://www.sudoc.fr/255238363/id Modélisation et simulation numérique des propriétés électriques des transistors MOS-SOI avancés http://www.sudoc.fr/247156337/id http://www.sudoc.fr/126434867/id http://www.sudoc.fr/246733624/id Étude, réalisation et caractérisation de transistors silicium sur isolant complètement désertés de longueur de grille inférieure à 25 nm http://www.sudoc.fr/246455810/id http://www.sudoc.fr/24680808X/id Effets de porteurs chauds dans les composants mos/soi ultracourts (0.5 µm sub-0.1 µm) Performances et fiabilité des transistors MOS SUB-0.1[mu]m http://www.sudoc.fr/276805062/id http://www.sudoc.fr/276937058/id
is Praeses of	http://www.sudoc.fr/192167448/id http://www.sudoc.fr/16641980X/id http://www.sudoc.fr/223651826/id http://www.sudoc.fr/193180553/id http://www.sudoc.fr/229661963/id http://www.sudoc.fr/242345476/id http://www.sudoc.fr/241065232/id http://www.sudoc.fr/233566015/id http://www.sudoc.fr/24040467X/id http://www.sudoc.fr/258499907/id http://www.sudoc.fr/230242081/id http://www.sudoc.fr/236782029/id http://www.sudoc.fr/243303904/id

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