| Attributes | Values |
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| type
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| Thesis advisor
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| Author
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| alternative label
| - Microwave analysis of 0.13 micrometer advanced technology partially depleted Silicon on insulator metal oxide semiconductor field effect transistors
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| dc:subject
| - Micro-ondes
- Ionisation
- Thèses et écrits académiques
- Technologie silicium sur isolant
- Transistors MOSFET
- Silicium -- Substrats
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| preferred label
| - Etude en radiofréquences de transistors à effet de champ MOS partiellement désertés en technologie avancée Silicium-Sur-Isolant sub 0,13 µm
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| Language
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| Subject
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| dc:title
| - Etude en radiofréquences de transistors à effet de champ MOS partiellement désertés en technologie avancée Silicium-Sur-Isolant sub 0,13 µm
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| Degree granting institution
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| note
| - First goal of this thesis was to study the microwaves performances of integrated MOSFET made by Silicon-On-Insulator technology (SOI) whose low size limits are lower than 0,13 µm. Second goal was to show their potentialities within low power microwaves integrated circuits from some GHz to a few tens of GHz, and much more. Thus, this report shows the possibilities as well as the limits of this technology with an analysis of microwaves behavioural of partially deserted SOI MOSFET, and, in parallel, a study of microwaves intrinsic noise. This manuscript also indicates impacts of various parasitic effects on SOI MOSFET microwaves behavioural, according to the components structure. The study finished with an analysis of potentialities as well as behaviour of new Silicon-On-Insulator devices.
- Le premier objectif de cette thèse était d'étudier les performances en micro-ondes de MOSFET intégrés en technologie Silicium-Sur-Isolant (SOI) dont les dimensions minimales sont inférieures à 0,13 µm. Le second objectif était de montrer leurs potentialités au sein de circuits intégrés à faible consommation, fonctionnant dans les micro-ondes, c'est-à-dire de quelques GHz à quelques dizaines de GHz, et même au-delà. Ainsi, ce mémoire montre les possibilités ainsi que les limites de cette technologie de part une analyse du fonctionnement des MOSFET SOI partiellement désertés dans les micro-ondes, accompagnée, en parallèle, d'une étude du bruit micro-ondes intrinsèque. Ce manuscrit indique également les impacts des différents effets parasites sur le fonctionnement dans les micro-ondes des MOSFET SOI en fonction de las tructure des composants utilisés. L'étude s'achève sur une analyse des potentialités ainsi que du comportement des futures structures en technologie Silicium-Sur-Isolant
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| dc:type
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| http://iflastandar...bd/elements/P1001
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| rdaw:P10219
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| has content type
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| is primary topic
of | |
| is rdam:P30135
of | |
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