| Attributes | Values |
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| type
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| Thesis advisor
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| Author
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| alternative label
| - New applications of excimer lamps to the low temperature photo-deposition of thin films
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| dc:subject
| - Croissance cristalline
- Lasers à excimère
- Silice
- Thèses et écrits académiques
- Cartes à mémoire
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| preferred label
| - Applications des lampes excimères au dépôt photo-assisté de couches minces à basses températures
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| Language
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| Subject
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| dc:title
| - Applications des lampes excimères au dépôt photo-assisté de couches minces à basses températures
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| Degree granting institution
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| note
| - The recent development of excimer lamps has opened up the field of direct Photo-Chemical Vapeur De osition. The fabrication and characterisation of those light sources were conducted, and various lamp devices generating up to a few Watts are presented. Applications of the available radiation are presented, such as for the generation of ozone and various metal-organic thin film depositions. The 172 nanometre radiation of a Xenon excimer lamp has been used to deposit silicon dioxide, silicon nitride, and silicon oxynitride films from the Photo-CVD of gas mixtures of silane with nitrous oxide, ammonia, or oxygen. Good silicon dioxide and silicon nitride film quality was obtained, as well as a very good control of the stoichiometry in the case of silicon oxynitride film deposition, therefore providing interesting perspectives for electronic and optical applications.
- Le récent développement des lampes excimères a ouvert de nouvelles perspectives pour le \"Photo-Chemical Vapour Deposition\". La fabrication et la caractérisation de dispositifs à lampes excimères sont présentes, pour des modèles permettant de générer des rayonnements de plusieurs Watts à des longueurs d'onde inférieures à 200 nanomètres. Certaines applications directes de ces radiations sont proposées, telles que la génération d'ozone ainsi que certains exemples de dépôts par phases organo-métalliques· La radiation émise par une lampe excimère au xénon, centrée autour de 172 nanomètres, est utilisée pour initier les dépôts de dioxyde de silicium, de nitrure de silicium, et d'oxynitrures, à partir du photo-CVD de phases gazeuses de silane avec du protoxyde d'azote, d'ammoniac, ou d'oxygène, et à des températures inférieures à 300 degrés. L'obtention de couches de dioxyde de silicium et de nitrure de silicium de bonnes qualités, et dans le cas des oxynitrures, l'excellent contrôle de la stoechiométrie ouvrent de nombreux domaines d'applications des lampes excimères vers les domaines.de l'optique et de l'électronique.
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| http://iflastandar...bd/elements/P1001
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