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Attributes	Values
type	Document Thesis
Thesis advisor	Poncet, Alain (19..-.... ; physicien) Gontrand, Christian (1955-....)
Author	Raoult, Jérémy (1976-....)
Bibliographic Citation	Etude et modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe : application à la conception d'oscillateurs radiofréquences intégrés = = Characterization and modelling of silicon-germanium heterojunction bipolar transistors (HBT) : application to integrated radio frequency oscillators design / par Jérémy Raoult ; sous la dir. de Alain Poncet et Christian Gontrand / Villeurbanne : Doc'INSA , 2005
Subject	http://www.idref.fr/027885798/id http://www.idref.fr/027253139/id http://www.idref.fr/027306178/id
Degree granting institution	Institut national des sciences appliquées de Lyon (Lyon)
dc:date	2005(xsd:integer)
rdam:P30135	Etude et modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe, application à la conception d'oscillateurs radiofréquences intégrés
http://www.abes.fr...doc/holdingsCount	1(xsd:integer)
Laboratory associated with the thesis	LPM - Laboratoire de Physique de la Matière (1961-2007)

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